Desde a introdução dos FETs GaN de modo e em 2023, a Nexperia mantém-se como o único fornecedor do setor a oferecer dispositivos tanto em modo cascode (ou modo d) como em modo e, proporcionando aos projetistas conveniência ao enfrentarem diversos desafios durante o processo de projeto.
As mais recentes adições ao portfólio de FETs GaN de modo e da Nexperia incluem novos dispositivos bidirecionais de baixa tensão de 40 V (RDSon
O desempenho de comutação superior da tecnologia GaN FET e-mode da Nexperia deve-se aos seus valores excepcionalmente baixos de QG e QOSS.
