O envio de amostras de produtos que utilizam a nova tecnologia de processo começa hoje.
O BiCS baseia-se num processo de empilhamento de 48 camadas de última geração, que melhora a fiabilidade da resistência à escrita/apagamento e aumenta a velocidade de escrita, tornando-o adequado para utilização em diversas aplicações, principalmente em unidades de estado sólido (SSDs).
Desde o primeiro anúncio mundial sobre a tecnologia de memória flash 3D[3], a Toshiba tem continuado o desenvolvimento visando a otimização da produção em massa. Para fazer face ao crescimento do mercado em 2016 e nos anos seguintes, a Toshiba está a promover ativamente a migração para a memória flash 3D, lançando um portefólio de produtos que enfatiza aplicações de alta capacidade, como os SSD.
A empresa está também a preparar-se para a produção em massa na nova fábrica Fab2, em Yokkaichi Operations, a sua fábrica de produção de memória flash NAND. A Fab2 está em construção e estará concluída no primeiro semestre de 2016 para fazer face à crescente procura de memória flash.

Informações adicionais ou citações
 
Notas:
[1] Em 26 de março de 2015. Pesquisa da Toshiba.
[2] Uma estrutura de células de memória flash empilhadas verticalmente a partir de um plano de silício com uma melhoria significativa na densidade em relação à memória flash NAND convencional, onde as células são dispostas numa direção plana num plano de silício.
[3] Apresentação da Toshiba, 12 de Junho de 2007.