Os novos dispositivos PQFN2x2, caracterizados pela sua área de apenas 4 mm²2Estão disponíveis para tensões de 20V, 25V e 30V, com controlo de porta padrão ou nível lógico, e utilizam as tecnologias de silício de baixa tensão mais avançadas da IR para o canal N e canal P, de forma a oferecer baixa resistência de condução (RDS(on)) e alta densidade de potência num encapsulamento PQFN3.3x3.3 ou PQFN5x6.

A família PQFN2x2 inclui dispositivos de canal P otimizados para utilização no lado de alta tensão dos interruptores seccionadores, onde oferecem uma solução de controlo mais simples. Estes dispositivos, caracterizados por um perfil baixo inferior a 1 mm, são compatíveis com as técnicas de montagem superficial existentes, têm dimensões standard e estão em conformidade com a diretiva RoHS.

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