A Samsung deu um passo em frente na miniaturização da DRAM, utilizando a atual litografia de imersão ArE nas suas novas memórias DRAM DDR3 de 4Gb e 20nm.
Com a memória DRAM, em que cada célula contém um condensador e um transístor ligados entre si, a escalabilidade é mais difícil do que com a memória Flash NAND, em que uma célula apenas necessita de um transístor. Para ampliar ainda mais a escalabilidade da sua DRAM avançada, a Samsung está a redefinir as suas tecnologias de design e fabrico, introduzindo um padrão duplo modificado e deposição de camada atómica.
A tecnologia de padrão duplo modificada da Samsung representa um marco ao possibilitar a produção de DDR de 20 nm utilizando o equipamento de litografia existente e ao estabelecer a tecnologia central para a próxima geração de RAM de 10 nm. A Samsung também criou com sucesso condensadores de células dielétricas ultrafinos com uma homogeneidade sem precedentes, resultando em células com um desempenho superior.
Com a nova DRAM DDR3 de 20 nm, a Samsung melhorou também a produtividade de fabrico, que é 30% superior à da anterior DDR de 25 nm e mais do dobro da DDR de 30 nm*.
Além disso, os novos módulos baseados em DDR3 4G de 20 nm podem poupar até 25% da energia consumida pelos módulos equivalentes fabricados com a tecnologia de processo anterior de 25 nm. Esta melhoria fornece a base para oferecer as soluções de TI Verde mais avançadas para empresas de todo o mundo.
“A nova e eficiente DRAM DDR3 de 20 nm irá expandir rapidamente o mercado da indústria de TI, incluindo os mercados de PCs e dispositivos móveis”, disse Young-Hyun Jun, vice-presidente executivo de marketing de memória da Samsung Electronics. “A Samsung continuará a fornecer DRAM de última geração e soluções amigas do ambiente, contribuindo para o crescimento do mercado global de TI em estreita colaboração com os nossos principais clientes.”
Segundo estudos da Gartner, o mercado global de memória DRAM crescerá de 35 mil milhões de dólares para cerca de 38 mil milhões de dólares em 2014.
*Nota: A classe de 10 nm refere-se ao nó de processo tecnológico que está entre 10 e 20 nanómetros, e a classe de 30 nm está entre 30 e 40 nanómetros.
