Os transístores GaN HEMT CG2H40xx e CG2H30070 da Wolfspeed oferecem uma fiabilidade incomparável e duas opções de encapsulamento: flange para rosca ou pastilha para soldadura. Concebidos com a mesma área de 0,4 μm dos dispositivos anteriores, os novos HEMT podem ser utilizados como substitutos diretos em aplicações existentes. Estes transístores são capazes de operar a alta frequência, até 6 GHz, e oferecem 62% de eficiência em PSAT.
A elevada eficiência e a ampla largura de banda dos transístores GaN HEMT CG2H40xx e CG2H30070 da Wolfspeed permitem aos engenheiros de design de RF aumentar o desempenho dos seus amplificadores de RF de forma rápida e fácil. Estes transístores são a escolha ideal para uma vasta gama de aplicações de amplificadores de potência de RF, desde equipamentos de comunicação militar e radar até aplicações comerciais de RF nos setores industrial, da saúde e científico.
Os HEMTs de GaN CG2H40xx e CG2H30070 da Wolfspeed são compatíveis com as placas de demonstração CG2H4004F-TB e CG2H30070F-TB1, que permitem aos engenheiros avaliar os HEMTs da Wolfspeed de forma eficiente. A placa de desenvolvimento CG2H4004F-TB opera numa gama de frequências de CC a 4 GHz, enquanto a placa de desenvolvimento CG2H30070F-TB1 opera numa gama de frequências de 0,5 GHz a 3 GHz.
