A proliferação de baterias de alta tensão em veículos elétricos, drones e ferramentas elétricas profissionais apresenta um desafio crucial: a proteção contra falhas catastróficas durante curtos-circuitos externos, onde as correntes podem atingir milhares de amperes. O MOSFET de descarga é o único componente responsável pelo isolamento da bateria nestas condições extremas.
“Nas baterias de alta energia, a robustez é fundamental. Os projetos tradicionais de MOSFET são forçados a escolher entre alcançar uma RDS(on) ultrabaixa para eficiência e a integridade estrutural necessária para suportar correntes de curto-circuito maciças”, disse o Dr. Phil Rutter, Vice-Presidente de Design da iDEAL Semiconductor. “A plataforma SuperQ™ elimina este dilema. A nossa estrutura de célula proprietária oferece a menor resistência no estado ligado do mercado, juntamente com uma margem de segurança incomparável, dando aos designers a confiança necessária para criar sistemas de baterias mais pequenos, mais fiáveis e mais económicos.”.
Resistência ao curto-circuito 1,4 vezes superior
Os testes internos realizados pela iDEAL Semiconductor demonstraram a significativa vantagem de desempenho do SuperQ. Uma comparação direta do iS15M2R5S1T (encapsulamento TOLL de 150 V, 2,5 mΩ) com um concorrente líder revelou o seguinte:
O dispositivo SuperQ demonstrou uma capacidade de resistência a curto-circuitos 1,4 vezes superior à do seu concorrente mais próximo. Este desempenho revolucionário é conseguido através de uma estrutura celular patenteada que apresenta uma região de condução mais ampla, maximizando a densidade de potência e a integridade estrutural sob condições de stress extremo.
Para os designers de baterias, esta SCWC superior traduz-se em benefícios ao nível do sistema:
Redução de componentes: uma vez que cada dispositivo SuperQ suporta correntes de curto-circuito significativamente mais elevadas, os designers podem utilizar até 50% menos MOSFETs em paralelo, mantendo os mesmos requisitos de segurança.
Economia de custos: A redução do número e da complexidade dos componentes leva a uma diminuição substancial do custo total dos materiais (BOM) e simplifica o design da placa.
Eficiência: Manter uma resistência RDS(on) ultrabaixa de 2,5 mΩ minimiza as perdas por condução, prolonga a vida útil da bateria e reduz os requisitos de gestão térmica.
A gama SuperQ está disponível de imediato com dispositivos até 200 V, oferecendo soluções para plataformas de baterias que variam entre 72 V e mais de 144 V.
