Sendo o primeiro dispositivo do setor a resolver a degradação bipolar em MOSFETs de SiC de 10 kV, o aparelho mantém um desempenho fiável, incluindo a utilização do díodo de corpo, essencial para sistemas UPS de média tensão, energia eólica e aplicações em transformadores de estado sólido.
Liberdade de design: sistemas simplificados, menor custo de propriedade
A disponibilidade da tecnologia SiC de 10 kV permite uma flexibilidade de design que anteriormente não era possível, resultando numa melhoria exponencial do tamanho, peso, fiabilidade e custo total de propriedade do sistema.
Redução dos custos do sistema em aproximadamente 30%: A utilização de SiC de 10 kV permite arquiteturas de sistema mais simples, consolidando projetos multicélulas num número mais reduzido de células e reduzindo os inversores de três níveis para uma topologia de dois níveis
Aumento da densidade de potência superior a 300%: O aumento das frequências de comutação de 600 Hz para 10.000 Hz simplifica o controlo do gate e os circuitos de excitação, além de reduzir as componentes magnéticas
Redução até 50% dos requisitos térmicos do sistema: Atingir uma eficiência de conversão de 99% permite uma gestão térmica mais simples e eficiente em comparação com os sistemas baseados em IGBT
Aproveitando o potencial da potência pulsada: viabilizando aplicações de próxima geração
Com um tempo de resposta inferior a 10 nanossegundos, a nova tecnologia permite a substituição de interruptores mecânicos convencionais por faísca — que se degradam ao longo do tempo devido a arcos elétricos de alta corrente e temperatura extremamente elevada, aumentando a manutenção e o custo total de propriedade — por interruptores de estado sólido baseados em MOSFETs de SiC. Estes dispositivos de estado sólido eliminam os arcos elétricos, possibilitam a transferência eficiente de energia e melhoram a precisão de temporização da transferência de energia pulsada, ao mesmo tempo que reduzem o tamanho e a complexidade do sistema para aplicações de energia pulsada de alto desempenho, como energia geotérmica, geração de energia para centros de dados de IA, gravação de plasma em semicondutores e produção sustentável de fertilizantes.
“Este marco é o culminar de quase 30 anos de excelência no crescimento de cristais, epitaxia grosseira e fabrico de dispositivos de alta tensão, tudo integrado verticalmente”, disse o Dr. Cengiz Balkas, Diretor Comercial da Wolfspeed. “A comercialização de MOSFET de 10 kV permite aos nossos clientes que têm vindo a desenvolver protótipos nesta tensão levar os seus projetos para a produção, acelerando assim o tempo de lançamento no mercado. Não só estamos a inaugurar uma nova era para o SiC de alta tensão, como também a torná-la realidade.”.
