O novo IGBT GT20N135SRA apresenta uma tensão de saturação coletor-emissor (VCE(sat)) de 1,60 V (típica) e uma tensão direta do díodo (VF) de 1,75 V, representando reduções de aproximadamente 10% e 21%, respetivamente, em comparação com os produtos convencionais. Uma vez que tanto o IGBT como o díodo têm perdas de condução melhoradas a altas temperaturas (TC=100°C), o dispositivo irá operar com maior eficiência.
Além disso, a sua melhor resistência térmica máxima entre a junção e o encapsulamento (Rth(jc)) de 0,48℃/W facilita o design térmico, uma vez que requer menos dissipação de calor, representando uma redução aproximada de 26% em comparação com os produtos existentes.
O novo GT20N135SRA consegue suprimir a corrente de curto-circuito através de um condensador ressonante gerado quando o dispositivo é ligado. A corrente de pico de curto-circuito do novo produto é de 129 A, quase um terço inferior à dos produtos existentes. A Área de Operação Segura (SOA) é maior, o que significa que o IGBT tem menor probabilidade de falhar, oferecendo assim aos projetistas um grau de flexibilidade muito maior.
O dispositivo, fornecido num encapsulamento TO-247 padrão, é capaz de suportar uma corrente máxima de coletor (IC) de 40 A, que desce para 20 A a 100 °C.
