Os novos módulos DDR5 MRDIMM são essenciais para satisfazer as crescentes exigências de largura de banda de memória da Inteligência Artificial (IA), Computação de Alto Desempenho (HPC) e outras aplicações de data center. Oferecem velocidades de funcionamento até 12.800 megatransfers por segundo (MT/s), representando uma melhoria de 1,35 vezes na largura de banda de memória em relação às soluções de primeira geração. A Renesas desempenhou um papel fundamental no design, desenvolvimento e implementação dos novos MRDIMMs, colaborando com os líderes do setor, incluindo fornecedores de CPUs e memórias, bem como clientes finais. A Renesas

concebeu e implementou três novos componentes críticos: o driver de relógio registado multiplexado (MRCD) RRG50120 de segunda geração, o buffer de dados multiplexado (MDB) RRG51020 de segunda geração e o circuito integrado de gestão de energia (PMIC) RRG53220 de segunda geração. A Renesas também oferece soluções de sensores de temperatura (TS) e concentradores de deteção de presença em série (SPD) em produção em série, tornando-se a única empresa de interfaces de memória a oferecer soluções completas de chipset para MRDIMMs de última geração padrão do setor, bem como para todos os outros DIMMs de servidor e cliente.

O RRG50120 MRCD de segunda geração da Renesas é utilizado nos MRDIMM para armazenar em buffer o barramento de comando e endereço (CA), as seleções de chip e os relógios entre o controlador host e a DRAM. Consome menos 45% de energia do que o dispositivo de primeira geração, uma especificação crítica para a gestão térmica em sistemas de altíssima velocidade. O RRG51020 Gen2 MDB é o outro dispositivo chave utilizado nos MRDIMMs para armazenar os dados do CPU host na DRAM. Tanto o novo MRCD como o MDB da Renesas suportam velocidades até 12,8 gigabytes por segundo (Gbps). Além disso, o PMIC RRG53220 de última geração da Renesas oferece a melhor proteção contra sobrecarga elétrica da sua classe e uma eficiência energética superior, estando otimizado para um funcionamento com alta corrente e baixa tensão.

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