A família de 22 MOSFETs de canal N de 40 V, compatíveis com AEC-Q101, incorpora a conceituada tecnologia de trincheira Gen12.7 da IR, oferecendo Rds(on) ultrabaixo em encapsulamentos D2Pak-7P, D2Pak, DPak, TO-262, IPAK e TO-220. O modelo de gama alta AUIRFS8409-7P, em encapsulamento D2Pak-7P, oferece um Rds(on) máximo de apenas 0,75 mΩ a 10 Vgs, com uma corrente nominal até 240 A. Estes novos dispositivos oferecem baixas perdas de condução e um desempenho robusto em avalanche, resultando numa maior eficiência, densidade de potência e fiabilidade. Com estas características, muitas aplicações que utilizam estes novos dispositivos COOLiRFET™ operam a temperaturas significativamente mais baixas do que os MOSFET mais avançados.
“A nova família de MOSFETs COOLiRFET™ de 40 V da IR, aprovada para o setor automóvel, atinge valores de Rds(on) de referência em todos os encapsulamentos disponíveis, oferecendo uma solução de alta eficiência para aplicações automóveis de alta corrente que exigem um elevado desempenho e um custo total do sistema reduzido”, afirmou Jifeng Qin, Gestor de Produtos de MOSFET Automóvel da Unidade de Negócios de Produtos Automóveis da IR.
Os MOSFET automóveis da IR são submetidos a testes de média de dispositivos dinâmicos e estáticos, bem como a inspeção visual automatizada de wafers em 100% dos casos, como parte da iniciativa de qualidade automóvel com zero defeitos da IR. Os novos dispositivos cumprem a aprovação AEC-Q101, que exige uma variação de Rds(on) de um máximo de 20% após 1.000 ciclos de temperatura durante os testes, e apresentam uma lista de materiais ecológicos, isentos de chumbo e em conformidade com a RoHS.
