Esta família permite a criação de conversores de potência com uma eficiência de conversão líder de mercado e uma elevada densidade de potência. Além disso, a série inclui um díodo Schottky paralelo opcional para reduzir ainda mais as perdas de comutação em ambientes de alta temperatura.
Dois dos seis dispositivos da família apresentam uma RDS(on) de apenas 1 mΩ e uma densidade de potência de 240 W/in³ no seu encapsulamento de 62 x 152 mm.
O QSiC Dual3 foi desenvolvido para permitir a substituição de módulos IGBT com o mínimo de redesenho. Todos os chips MOSFET foram submetidos a testes de burn-in de óxido de porta ao nível do wafer, excedendo os 1.450 V. Os módulos também apresentam uma baixa resistência térmica entre a junção e a carcaça, facilitando um design de sistema simplificado com dissipadores de calor mais pequenos e mais leves.
“As crescentes exigências de energia e gestão térmica impulsionadas pela IA nos centros de dados estão a levar os sistemas tradicionais de refrigeração e energia ao seu limite”, disse o Dr. Timothy Han, presidente da SemiQ. “Com um design flexível e uma densidade de potência líder no setor, a série QSiC Dual3 suporta aplicações de chiller líquido de 250 kW tanto em front-end ativo como em acionamentos de compressores, reduzindo o tamanho e o peso em comparação com as soluções tradicionais de IGBT de silício, ao mesmo tempo que oferece a máxima eficiência de SiC.”
