Esta expansão responde à crescente procura de conversão ultraeficiente em sistemas de alta potência e incorpora dispositivos concebidos para capacidades de corrente até 608 A e uma resistência térmica junção-invólucro de apenas 0,07 ºC/W (no formato padrão de meia-ponte S3 de 62 mm).
Os módulos de seis componentes integram o estágio de potência trifásico num pacote compacto e apresentam uma gama de RDSon de 19,5 a 82 mΩ. São concebidos para otimizar o layout e minimizar o ruído parasita em conversores CA-CC avançados e acionamentos de motores.
Os módulos de ponte completa oferecem capacidades de corrente até 120 A e uma resistência de condução ultrabaixa de apenas 8,6 mΩ. Esta combinação, juntamente com uma baixa resistência térmica de 0,28 °C/W, maximiza a densidade de potência e a eficiência em inversores monofásicos e sistemas CC-CC de alta tensão.
Todos os componentes passam por testes de queima de óxido de porta ao nível do wafer para garantir a qualidade do óxido. São também testados com tensões de rutura superiores a 1350 V. Os módulos baseados nestes chips de terceira geração operam com tensões de porta mais baixas do que as gerações anteriores, graças a uma gama de tensão de porta de 18 V/-4,5 V. A tecnologia Gen3 da SemiQ reduz as perdas RONsp e as perdas de desligamento (EOFF) até 30% em comparação com as gerações anteriores.
Doutor Timothy Han: “A infraestrutura de carregamento para veículos elétricos e novas aplicações industriais exige níveis de desempenho cada vez mais elevados. Com uma densidade de corrente líder e uma resistência de condução significativamente mais baixa, os nossos novos módulos Gen3 de ponte completa, meia ponte e pacote de seis módulos ajudam as organizações a satisfazer estas exigências.”
