Com um valor máximo de VDSS de 150V e uma corrente (ID) de 64A, o novo dispositivo apresenta uma resistência ativa dreno-fonte (RDS(ON)) de apenas 9,0mΩ (máx.). Isto representa uma redução de mais de 40% em comparação com o produto TPH1500CNH1 da geração anterior.
Em soluções de fontes de alimentação de alto desempenho que utilizam a retificação síncrona, o desempenho de recuperação inversa é crucial. Ao incorporar um díodo de corpo de alta velocidade, o novo TPH9R00CQ5 reduz a carga de recuperação inversa (Qrr) em aproximadamente 74% (para um valor típico de 34 nC) em comparação com um dispositivo existente como o TPH9R00CQH. Além disso, o tempo de recuperação inversa (trr) de apenas 40 ns representa uma melhoria de mais de 40% em relação aos dispositivos anteriores.
Juntamente com uma baixa carga de porta (Qg) de apenas 44 nC, estas melhorias contribuem significativamente para a redução das perdas e para o aumento da densidade de potência em soluções de alto desempenho e eficiência energética. Uma temperatura do canal de 175 °C (máx.) é excecional para MOSFETs de díodo de alta velocidade e oferecerá aos projetistas uma maior margem térmica.
O novo dispositivo também reduz os picos de tensão criados durante a comutação, melhorando assim as características de EMI dos projetos e reduzindo a necessidade de filtros. Está encapsulado num versátil pacote SOP Advance(N) de montagem superficial, com apenas 4,9 mm x 6,1 mm x 1,0 mm.
Para auxiliar os projectistas, a Toshiba desenvolveu um modelo SPICE G0 para verificar rapidamente o funcionamento do circuito, bem como modelos SPICE G2 de alta precisão para reproduzir com exactidão as características transitórias.
Além disso, os projetistas têm acesso a projetos de referência avançados, já disponíveis no site da Toshiba. Estes incluem um conversor CC-CC buck-boost não isolado de 1 kW, um inversor trifásico multinível baseado em MOSFET e um conversor CC-CC full-bridge de 1 kW, todos utilizando o novo TPH9R00CQ5.
As encomendas do novo dispositivo começam hoje, e a Toshiba continuará a expandir a sua gama de MOSFETs de potência que reduzem as perdas de energia e aumentam a eficiência das fontes de alimentação comutada, contribuindo para a melhoria da eficiência dos equipamentos.
