O novo MOSFET de potência TW070J120B é baseado em SiC, um material inovador com uma grande banda proibida que permite que os dispositivos operem a altas tensões, bem como altas velocidades de comutação e baixa resistência de condução em comparação com os MOSFETs e IGBTs (transístores bipolares de porta isolada) convencionais baseados em silício. Como resultado, o novo MOSFET contribui significativamente para a redução do consumo de energia e para o aumento da densidade de potência, abrindo novas oportunidades para a miniaturização do sistema. O novo MOSFET de SiC
 
é fabricado utilizando o design de chip de segunda geração da Toshiba[1] e oferece maior fiabilidade. Além disso, o TW070J120B consegue uma baixa capacitância de entrada (CISS) de 1680pF (típ.), uma baixa carga de entrada de porta (Qg) de 67nC (típ.) e uma resistência de condução dreno-fonte (RDS(ON)) de apenas 70 mΩ (típ.).
 
Comparativamente a um IGBT de silício de 1200 V, como o GT40QR21 da Toshiba, o novo dispositivo reduz as perdas de comutação em aproximadamente 80% e o tempo de comutação (tempo de desativação) em quase 70%, além de oferecer características de baixa tensão direta com uma corrente de drenagem (ID) de até 20 A.
 
A alta tensão de limiar de porta (Vth) (entre 4,2 V e 5,8 V) minimiza o potencial de comutação espúria. A inclusão de um díodo Schottky de SiC (SBD) com baixa tensão direta (VDSF) de apenas -1,35 V (típica) contribui ainda mais para a redução das perdas.
 
O novo MOSFET TW070J120B, fornecido num encapsulamento TO-3P(N), permitirá o desenvolvimento de soluções energéticas mais eficientes, especialmente em aplicações industriais onde o aumento da densidade de potência ajudará também a reduzir o tamanho e o peso dos equipamentos.

Mais informações ou um orçamento