Graças aos seus encapsulamentos L-TOGL e às características de dissipação de calor melhoradas resultantes, os novos MOSFET da Toshiba estão altamente otimizados para lidar com correntes elevadas. Cada um apresenta elevadas classificações de corrente de drenagem (400 A para o XPQR3004PB e 200 A para o XPQ1R004PB), bem como valores de resistência de ativação líderes de mercado (0,3 mΩ para o XPQR3004PB e 1 mΩ para o XPQ1R004PB).

Estes dispositivos não possuem uma estrutura de pólos internos (ligação soldada). Isto é conseguido ligando a fonte e os terminais externos com um inovador clipe de cobre. A utilização de uma estrutura multipolar para os terminais da fonte reduz a resistência do encapsulamento (e as perdas associadas) em aproximadamente 70% em comparação com o encapsulamento TO-220SM(W) existente. A corrente de drenagem nominal (ID) do XPQR3004PB representa um aumento de 60% em relação ao TKR74F04PB atual, encapsulado no TO-220SM(W). Além disso, a robusta estrutura de cobre reduz substancialmente a impedância térmica entre a junção e a carcaça. Ela é de 0,2 °C/W para o XPQR3004PB e de 0,65 °C/W para o XPQ1R004PB. Isto facilita a dissipação de calor, reduz as temperaturas de funcionamento e melhora a fiabilidade.

Concebidos para utilização em aplicações automóveis exigentes com temperaturas até 175 °C, os modelos XPQR3004PB e XPQ1R004PB possuem certificação AEC-Q101. Os seus terminais em formato de asa de gaivota reduzem a tensão de montagem e facilitam a inspeção visual, contribuindo assim para uma maior fiabilidade das juntas de soldadura.

Quando utilizados em aplicações automóveis de alta corrente, como relés semicondutores ou geradores de arranque integrados (ISGs), os modelos XPQR3004PB e XPQ1R004PB simplificam os projetos e reduzem o número de MOSFETs necessários. Isto resulta numa redução de tamanho, peso e custo.

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