A Microchip Technology apresenta o seu simulador de potência SiC MPLAB®, que avalia rapidamente os dispositivos e módulos de potência SiC da Microchip em diversas topologias antes da transição do design para o hardware, ajudando os engenheiros de design de energia a adotar soluções de potência SiC com facilidade, rapidez e confiança.
O MPLAB SiC Power Simulator da Microchip é um ambiente de software baseado em PLECS, desenvolvido em colaboração com a Plexim, que oferece uma ferramenta online gratuita, eliminando a necessidade de uma licença de simulação. O MPLAB SiC Power Simulator acelera o processo de design para diversas topologias de potência baseadas em SiC. Os clientes podem comparar e avaliar soluções de SiC com confiança durante a fase de design.
“Os clientes interessados na tecnologia SiC podem agora utilizar o simulador de energia SiC MPLAB baseado na web para comparar e selecionar o melhor produto SiC da Microchip para o seu projeto”, disse Clayton Pillion, vice-presidente da unidade de negócio de carboneto de silício da Microchip. “A Microchip, que investe em carboneto de silício há mais de duas décadas, oferece aos nossos clientes soluções energéticas versáteis no seu portefólio de SiC, que podem ser facilmente integradas noutros dispositivos da Microchip.”
A ferramenta pode acelerar o tempo de lançamento no mercado graças a uma avaliação abrangente do SiC que não só fornece dados valiosos, como também reduz o tempo de seleção de componentes. Um projetista de eletrónica de potência que necessite de decidir entre um MOSFET de SiC de 25 mΩ e um de 40 mΩ para um conversor ativo de entrada trifásico pode obter resultados de simulação imediatamente, como a dissipação média de potência e as temperaturas máximas de junção dos dispositivos.
O MPLAB SiC Power Simulator é uma ferramenta de design essencial para fabricantes de equipamento original (OEMs) que concebem sistemas de energia para aplicações de eletromobilidade, sustentabilidade e industriais, tais como veículos elétricos, sistemas de carregamento integrados e externos, fontes de alimentação e sistemas de armazenamento de baterias.
O portefólio de SiC da Microchip inclui os melhores encapsulamentos de módulos de potência do mercado, com a indutância parasita mais baixa (<2,9 nH) e os MOSFETs e díodos discretos de 3,3 kV mais avançados, com as classificações de corrente mais elevadas. O portefólio de SiC inclui também dispositivos discretos sem encapsulamento e módulos de 700 V, 1200 V e 1700 V, bem como drivers de gate configuráveis AgileSwitch®.
Estes dispositivos de SiC destacam-se pela sua robustez e desempenho, oferecendo uma vida útil de oxidação da porta projetada para ultrapassar os 100 anos, além de díodos estruturais sem degradação. A tecnologia SiC proporciona níveis mais elevados de eficiência do sistema, densidade de potência e estabilidade térmica do que os IGBTs (Transistores Bipolares de Porta Isolada) de silício em aplicações de alta potência.
