Los transistores HEMT GaN Wolfspeed CG2H40xx y CG2H30070 ofrecen la mejor fiabilidad de su clase y una selección de dos tipos de encapsulados: un encapsualdo de bridas atornilladas o un encapsulado de pastillas de soldadura. Diseñados con la misma huella que los dispositivos anteriores de 0.4 μm, los nuevos HEMT se pueden utilizar como reemplazos directos en aplicaciones existentes. Los transistores son capaces de trabajar a alta frecuencia a 6 GHz y ofrecer una eficiencia del 62 por ciento en PSAT.
La alta eficiencia y el amplio ancho de banda de los HEMT GaN CG2H40xx y CG2H30070 de Wolfspeed permiten a los ingenieros de diseño de RF aumentar el rendimiento de sus amplificadores de RF de forma rápida y sencilla. Los transistores son una opción ideal para una amplia gama de aplicaciones de amplificadores de potencia de RF, que van desde comunicaciones militares y equipos de radar hasta aplicaciones comerciales de RF en los sectores industrial, sanitario y científico.
Los HEMT GaN CG2H40xx y CG2H30070 de Wolfspeed son compatibles con las placas de demostración CG2H4004F-TB y CG2H30070F-TB1, que permiten a los ingenieros evaluar de manera eficiente los HEMTs Wolfspeed. La herramienta de desarrollo CG2H4004F-TB funciona en un rango de frecuencia de CC a 4 GHz, mientras que la herramienta de desarrollo CG2H30070F-TB1 trabajar en un rango de frecuencia de 0,5 GHz a 3 GHz.
