Renesas Electronics ha presentado el TP65H020G4PLSGBD, un dispositivo GaN de 650 V desarrollado para sistemas de conversión de potencia de alta densidad utilizados en arquitecturas HVDC de 800 V para centros de datos de inteligencia artificial.
ROHM ha desarrollado el RS4P063BPHZG, un MOSFET de 100 V optimizado para funciones de seguridad del automóvil y circuitos de protección. El nuevo producto logra una SOA (área segura de funcionamiento) amplia líder del sector* en un amplio rango de tensiones en el encapsulado estándar HPLF5060 (tamaño 5060), ampliamente utilizado en aplicaciones de automoción.
ROHM ha desarrollado IGBT de 4.ª generación de 650 V, ideales para compresores eléctricos y calentadores de alta tensión del sector de la automoción, así como para inversores destinados a equipos industriales. Como productos de la clase de 650 V de calidad automotriz,
ROHM ha desarrollado una nueva gama de MOSFET de superconexión de 600 V, las series R60xxXNx y R60xxWNx. En los sectores de los centros de datos y los equipos industriales, la demanda de energía sigue aumentando a medida que se incrementan las cargas de procesamiento, lo que está impulsando una fuerte demanda de una mayor eficiencia de las fuentes de alimentación para reducir tanto el consumo de energía como la generación de calor.
Toshiba Electronics Europe GmbH («Toshiba») ha presentado el TPM1R408RH, un MOSFET de potencia de canal N de 80 V basado en la última tecnología de proceso U-MOS11-H de la empresa. Diseñado para fuentes de alimentación conmutadas industriales de alta eficiencia destinadas a equipos de centros de datos y estaciones base de comunicaciones, e
Los sistemas de temporización para vehículos espaciales deben proporcionar señales muy estables y precisas a los instrumentos de navegación, de comunicaciones y científicos, incluso cuando las señales GNSS son débiles o no se encuentran disponibles.
NOVOSENSE Microelectronics ha anunciado el lanzamiento de la serie SP301H/L, una familia de aisladores digitales de tres canales basada en su tecnología patentada de aislamiento capacitivo de tercera generación.
Navitas Semiconductor ha anunciado el lanzamiento de su nuevo encapsulado UHV‑TO‑247‑4‑ISO, que establece un nuevo referente para los dispositivos de potencia discretos de alto rendimiento. Con una distancia de fuga de más de 12 mm entre pines y un aislamiento integrado superior a 6000 V,
Toshiba Electronics Europe GmbH («Toshiba») ha presentado al mercado dos aisladores digitales estándar compactos, de cuatro canales, velocidad media y bajo consumo, destinados a equipos industriales y electrónica de consumo.
Toshiba Electronics Europe GmbH («Toshiba») ha ampliado su gama de MOSFET de potencia de canal N con el lanzamiento de nueve nuevos componentes en tres tipos de encapsulados pequeños y de alta disipación térmica.
Vishay Intertechnology, Inc ha ampliado su plataforma Gen 7 de rectificadores FRED Pt® Hyperfast de 1200 V con seis nuevos dispositivos de la serie eSMP® en el encapsulado SMPC HV. Optimizados para aplicaciones industriales, de automoción y energéticas, los rectificadores de 1 A, 2 A y 3 A no solo ofrecen el mejor equilibrio entre la carga de recuperación inversa (Qrr)
ROHM ha desarrollado la «serie AG16xFNxx», una gama de MOSFET de potencia de 80 V diseñada para sistemas de alimentación eléctrica de 48 V, cada vez más comunes en aplicaciones de automoción. En el sector de la automoción, la demanda de potencia está aumentando, sobre todo en los modelos de vehículos de gama alta.
Renesas Electronics ha presentado el TP65H020G4PLSGBD, un dispositivo GaN de 650 V desarrollado para sistemas de conversión de potencia de alta densidad utilizados en arquitecturas HVDC de 800 V para centros de datos de inteligencia artificial.
ROHM ha desarrollado el RS4P063BPHZG, un MOSFET de 100 V optimizado para funciones de seguridad del automóvil y circuitos de protección. El nuevo producto logra una SOA (área segura de funcionamiento) amplia líder del sector* en un amplio rango de tensiones en el encapsulado estándar HPLF5060...
ROHM ha desarrollado IGBT de 4.ª generación de 650 V, ideales para compresores eléctricos y calentadores de alta tensión del sector de la automoción, así como para inversores destinados a equipos industriales. Como productos de la clase de 650 V de calidad automotriz,
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Los sistemas de temporización para vehículos espaciales deben proporcionar señales muy estables y precisas a los instrumentos de navegación, de comunicaciones y científicos, incluso cuando las señales GNSS son débiles o no se encuentran disponibles.
NOVOSENSE Microelectronics ha anunciado el lanzamiento de la serie SP301H/L, una familia de aisladores digitales de tres canales basada en su tecnología patentada de aislamiento capacitivo de tercera generación.
Navitas Semiconductor ha anunciado el lanzamiento de su nuevo encapsulado UHV‑TO‑247‑4‑ISO, que establece un nuevo referente para los dispositivos de potencia discretos de alto rendimiento. Con una distancia de fuga de más de 12 mm entre pines y un aislamiento integrado superior a 6000 V,
Toshiba Electronics Europe GmbH («Toshiba») ha presentado al mercado dos aisladores digitales estándar compactos, de cuatro canales, velocidad media y bajo consumo, destinados a equipos industriales y electrónica de consumo.
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Recibirá las 10 ediciones que se publican al año.
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