Estos dispositivos están dirigidos a aplicaciones de conversión de potencia de media tensión y alta potencia, incluyendo cargadores de baterías, inversores fotovoltaicos, fuentes de alimentación para servidores y sistemas de almacenamiento de energía. Todas las piezas se someten a pruebas de desgaste del óxido de compuerta a nivel de oblea superiores a 1400 V y a pruebas de avalancha de hasta 800 mJ (330 mJ para los módulos de 34 mΩ).
Todos los módulos son altamente robustos, fáciles de montar y cuentan con una placa posterior aislada, además de montajes directos para disipadores de calor. Han sido diseñados para mejorar el rendimiento y las velocidades de conmutación mientras minimizan las pérdidas en estas aplicaciones. El modelo de 7,4 mΩ GCMX007C120S1-E1 reduce las pérdidas de conmutación a 4,66 mJ (3,72 mJ en encendido y 0,94 mJ en apagado) y cuenta con una carga de recuperación inversa del diodo interno de 593 nC.
Su resistencia térmica unión–carcasa varía desde 0,23 °C/W para el módulo MOSFET de 7,4 mΩ hasta 0,70 °C/W para el módulo de 34 mΩ.
El Dr. Timothy Han, presidente de SemiQ, afirmó:
“La expansión de nuestra familia de MOSFETs SiC de tercera generación y 1200 V marca otro hito clave en la misión de SemiQ de ofrecer soluciones superiores de carburo de silicio para aplicaciones de potencia de alto rendimiento. Al ampliar nuestro portafolio con opciones de menor resistencia y paquetes SOT-227 robustos y fáciles de montar, estamos permitiendo a los diseñadores alcanzar mayor eficiencia, conmutaciones más rápidas y una mayor fiabilidad en una amplia gama de sistemas energéticos e industriales”.
