Sin embargo, problemas como la convergencia de la simulación y los prolongados tiempos de cálculo revelaron la necesidad de perfeccionarlos.
Los nuevos modelos L3 utilizan un enfoque simplificado que mantiene tanto la estabilidad computacional como la precisión de las formas de onda de conmutación, al tiempo que reduce el tiempo de simulación en aproximadamente un 50 % en comparación con los modelos L1. Esto permite realizar análisis transitorios de alta precisión de los circuitos completos a una velocidad significativamente mayor, agilizando la evaluación de dispositivos y la valoración de pérdidas en la fase de diseño de aplicaciones.
Desde abril de 2025, ROHM ha lanzado 37 modelos L3 para sus MOSFET de SiC de 4.ª generación, que ya pueden descargarse directamente desde la sección Models & Tools (Modelos y Herramientas) de la página de cada producto. Los modelos L1 seguirán ofreciéndose junto con las nuevas versiones. También se proporciona un exhaustivo libro blanco que facilita la implementación del modelo.
