Son adecuados para una amplia gama de aplicaciones de potencia exigentes, incluidas las fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) en servidores, centros de datos y equipos de comunicaciones, sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI), estaciones de carga de vehículos eléctricos y acondicionadores de potencia para inversores fotovoltaicos (PV).

En comparación con los encapsulados con inserción de patillas (leads), como el TO-247 y el TO-247-4L(X), estos nuevos dispositivos reducen significativamente el volumen en más de un 80 %. Esta importante miniaturización contribuye directamente a mejorar la densidad de potencia de los equipos. Además, la capacidad de montaje en superficie del encapsulado TOLL permite el uso de componentes de impedancia parásita más pequeños, incluyendo resistencias e inductores, lo que a su vez conduce a una reducción de las pérdidas de conmutación.

El encapsulado TOLL es un encapsulado de 9 pines y 4 terminales diseñado para facilitar el uso de una conexión Kelvin para su terminal de fuente de señal para la conducción de la puerta. Este avanzado diseño minimiza la influencia de la inductancia en el cable de fuente dentro del encapsulado, logrando así un rendimiento de conmutación de alta velocidad. Por ejemplo, el TW048U65C muestra una notable reducción de la pérdida de encendido (Eon) de aproximadamente el 55 % y de la pérdida de apagado (Eoff) de alrededor del 25 % en comparación con el producto equivalente de Toshiba que utiliza el encapsulado TO-247 sin conexión Kelvin. Esta mejora contribuye directamente a reducir la pérdida de potencia en los equipos.

Los MOSFET de SiC de tercera generación de Toshiba presentan una resistencia a la deriva y una relación de resistencia de canal optimizadas, lo que da lugar a una buena dependencia de la temperatura de la resistencia de drenaje-fuente (RDS(on)) en una amplia gama de condiciones de funcionamiento. También presentan bajas cargas RDS(on) x puerta-drenaje (Qgd), una cifra de mérito (FOM) crucial, lo que mejora aún más su rendimiento. Todas las variantes presentan un voltaje drenaje-fuente máximo absoluto (VDSS) de 650 V y un amplio rango de voltaje puerta-fuente (VGSS) de -10 V a 25 V, lo que permite la compatibilidad con varios circuitos de control de puerta y simplifica el diseño de los circuitos. El voltaje umbral de puerta (Vth) de estos dispositivos suele oscilar entre 3,0 V y 5,0 V, lo que también ayuda a simplificar el diseño de los circuitos. Además, la alta corriente de drenaje (ID) garantiza un funcionamiento robusto en condiciones exigentes, lo que mejora la fiabilidad del sistema.