Ces nouveaux relais photoélectriques sont conçus pour fonctionner à des températures allant jusqu'à 135 °C et sont logés dans un boîtier S-VSON4T ultra-compact de seulement 1,45 × 2,0 mm (typ.).

Face à l'électrification et à la conduite autonome croissantes dans le secteur automobile, les ingénieurs sont de plus en plus confrontés au défi de concevoir des circuits capables de résister aux hautes températures et d'intégrer davantage de fonctionnalités dans des espaces toujours plus réduits. Les nouveaux relais photoélectriques de Toshiba répondent directement à ces exigences en offrant une température de fonctionnement maximale supérieure à celle des produits existants (125 °C), garantissant ainsi des performances fiables même dans les environnements les plus exigeants thermiquement, tels que les testeurs de semi-conducteurs automobiles, les systèmes de rodage et les cartes de test.

Pour les ingénieurs concepteurs, l'intégration de résistances d'entrée permet une alimentation directe en tension de ces relais photoélectriques, éliminant ainsi le besoin de résistances externes et simplifiant la conception des circuits. Ceci réduit non seulement le nombre de composants, mais libère également un espace précieux sur la carte, permettant des conceptions plus compactes et plus efficaces. Le boîtier S-VSON4T permet un montage haute densité, offrant ainsi aux ingénieurs la possibilité d'intégrer plusieurs relais sur une carte de taille réduite sans compromettre les performances ni la fiabilité.

Le TLP3407SRB, en particulier, présente un courant à l'état passant maximal de 1 A, tandis que les TLP3412SRB, TLP3412SRHB et TLP3412SRLB offrent des capacités de commutation robustes avec une faible résistance à l'état passant et des temps de réponse rapides. Ces caractéristiques rendent cette nouvelle série particulièrement adaptée aux applications exigeant une commutation rapide et fiable.