Le premier produit haute tension de cette nouvelle plateforme est le MOSFET AOS AOTL037V60DE2 600V, conçu pour répondre à la demande croissante de rendement élevé et de densité de puissance élevée dans une large gamme d'applications, notamment les serveurs, les stations de travail, les redresseurs de télécommunications, les onduleurs solaires, les contrôleurs de moteurs et les systèmes d'alimentation industriels.
Les défis de conception des alimentations à découpage (SMPS) de moyenne et haute puissance et des systèmes d'onduleurs solaires peuvent se résumer à quatre exigences clés : un rendement élevé, une densité de puissance élevée, un coût total du système réduit et une robustesse sans compromis. Pour répondre à ces exigences, les MOSFET à superjonction haute tension sont devenus les composants de choix pour les topologies critiques, notamment la branche lente des alimentations à correction du facteur de puissance (PFC) de type totempole, les convertisseurs LLC résonants, les modules de correction du facteur de puissance (PFCB) et les cycloconvertisseurs.
AOS a développé sa plateforme MOSFET αMOS E2™ à superjonction haute tension de pointe, dotée d'une diode de corps intrinsèquement robuste. Cette diode est capable de gérer avec fiabilité les conditions de commutation difficiles, notamment la récupération inverse de la diode de corps libre pouvant survenir lors d'événements anormaux tels que les courts-circuits ou les transitoires de démarrage. Le modèle AOTL037V60DE2, disponible en boîtier TOLL, présente une RDS(ON) maximale de 37 milliohms. Lors des évaluations menées par l'équipe d'ingénierie d'application d'AOS, la robustesse de la diode de corps de ce MOSFET αMOS E2™ a été démontrée, lui permettant de supporter un di/dt de 1300 A/µs dans des conditions de courant direct (IF) spécifiques, à une température de jonction de 150 °C. De plus, les tests AOS ont confirmé que l'AOTL037V60DE2 offre une capacité de commutation inductive non écrêtée (UIS) en avalanche supérieure et un temps de maintien en court-circuit (SCWT) plus long que les MOSFET concurrents. Cette robustesse accrue se traduit par une plus grande fiabilité au niveau du système, garantissant des performances solides même dans des conditions de fonctionnement anormales.
« Nous avons conçu cette plateforme et le premier MOSFET haute tension pour répondre aux besoins des alimentations AC/DC traditionnelles, ainsi que des convertisseurs DC/DC et des onduleurs DC/AC, où l'obtention d'une densité de puissance et d'un rendement élevés demeure un défi majeur. Grâce à la vaste expertise d'AOS en ingénierie MOSFET, nous savons que les capacités innovantes de la plateforme MOSFET à superjonction haute tension αMOS E2™ et de l'AOTL037V60DE2 relèvent ces défis, permettant aux concepteurs d'applications de moyenne et haute puissance, d'onduleurs solaires et de convertisseurs DC/DC de répondre efficacement aux exigences actuelles et futures en matière d'efficacité énergétique, de durabilité et de réduction des coûts», a déclaré Simon Yu, chef de produit senior chez AOS.
Caractéristiques techniques clés :
Optimisé pour les topologies à commutation douce avec des pertes de commutation exceptionnellement faibles.
Diode de corps robuste à Qrr réduit pour les applications exigeantes et soumises à de fortes contraintes.
Robustesse accrue grâce à une forte résistance à l'enclenchement (UIS), une bonne gestion du courant d'appel et de larges capacités SOA.
Conçu pour éviter l'auto-amorçage, garantissant un fonctionnement fiable en conditions dynamiques.
Convient aux applications Totem Pole PFC, LLC, PSFB et CrCM H-4/cycle d'onduleur.
Disponibilité et prix :
La résistance AOTL037V60DE2 (600 V, 37 mΩ) est disponible en grande quantité avec un délai de livraison de 16 semaines. Le prix unitaire pour une commande de 1 000 pièces est de 5,58 $.
