Grâce à une structure de jonction Schottky (JBS) améliorée, la série TRSxxx120Hx présente une tension directe (V<sub>F</sub>) très faible de seulement 1,27 V (typique). La diode Schottky PiN fusionnée, intégrée à la structure JBS, réduit les pertes de la diode sous courant élevé. Le modèle TRS40N120H de cette nouvelle série supporte un courant direct continu (I<sub>F(DC)</sub>) de 40 A (max.) et un courant direct de crête non répétitif (I<sub>FSM</sub>) de 270 A (max.), avec une température de boîtier maximale (T<sub>C</sub>) de +175 °C pour tous les composants.

Associés à une charge capacitive et un courant de fuite réduits, ces produits contribuent à améliorer le rendement du système et à simplifier la conception thermique. Par exemple, à une tension inverse (VR)de 1200 V, la diode TRS20H120H logée dans le boîtier TO-247-2L fournit une charge capacitive totale (QC)de 109 nC et un courant inverse (IR) de 2 µA.

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