De plus, en augmentant la température maximale admissible de la jonction de surcharge à 175 °C, une augmentation significative de la densité de puissance peut être obtenue.
L'IGBT7 TRENCHSTOP™ 1200 V est disponible en plusieurs modules : le module EasyPIM™ 1B 1200 V, un redresseur triphasé PIM (module intégré de puissance) de 10 A et 25 A ; le module EasyPACK™ 2B 1200 V, un module IGBT par lot de six ; et le module IGBT par lot de six de 100 A. Ces nouveaux modules sont conçus avec le même brochage que les modules IGBT4 TRENCHSTOP, ce qui simplifie la conception pour les ingénieurs. Ils sont également disponibles avec un courant de sortie plus élevé dans le même boîtier ou un courant de sortie similaire dans un boîtier plus compact, permettant ainsi de concevoir des onduleurs plus compacts. Tous les modules bénéficient de la technologie de montage PressFit d'Infineon, garantissant une faible résistance ohmique et un temps de traitement réduit.
Les principaux avantages de l'IGBT7 TRENCHSTOP™ sont les suivants :
• Faibles pertes : La nouvelle technologie de puce présente des pertes considérablement réduites grâce à une Vce(sat) optimisée.
• Dv/dt optimisé pour 2 à 8 kV/µs, idéal pour les applications de pilotage.
• Comportement en court-circuit optimisé : 8 µs à 150 °C suffisent pour les applications de pilotage.
• Circuit de commande de grille simplifié et optimisé pour le conditionnement d'application. Une seule résistance de grille est nécessaire.
• Température de jonction (Tvjop) accrue jusqu'à 175 °C, augmentant la densité de puissance.
• VCE(sat) de pointe.
• Fonctionnement à 175 °C en cas de surcharge.
• Commande améliorée et optimisée pour les applications de pilotage.
• Densité de puissance supérieure : Même puissance dans un format 35 % plus compact.
Les modules IGBT7 TRENCHSTOP™ 1200 V et la diode à commande d'émetteur EC7 d'Infineon sont disponibles chez Farnell en Europe.
