Les périphériques UFS dotés de la technologie QLC offrent une densité de bits supérieure à celle des périphériques UFS TLC traditionnels, ce qui les rend idéaux pour les applications mobiles exigeant de grandes capacités de stockage. Les progrès réalisés en matière de pilotes et de correction d'erreurs ont permis à la technologie QLC d'atteindre ce niveau de performance tout en conservant des performances compétitives.
Tirant parti de ces avancées, les nouveaux périphériques KIOXIA affichent des gains de performance substantiels [2]. Les périphériques UFS QLC de KIOXIA augmentent les vitesses d'écriture séquentielle de 25 %, les vitesses de lecture aléatoire de 90 % et les vitesses d'écriture aléatoire de 95 % par rapport à la génération précédente (UFS 4.0/UFS QLC BiCS6) [3]. Le facteur d'amplification d'écriture (WAF) a également été amélioré jusqu'à un maximum de 3,5x (avec WriteBooster désactivé).
Idéaux pour les smartphones et les tablettes, les périphériques UFS QLC de KIOXIA prennent également en charge les nouvelles catégories de produits exigeant une capacité et des performances accrues, telles que les ordinateurs, les réseaux, la réalité augmentée/virtuelle, l'Internet des objets et les dispositifs d'intelligence artificielle.
Disponibles en capacités de 512 gigaoctets (Go) et 1 téraoctet (To), les nouveaux dispositifs UFS 4.1 combinent la mémoire flash 3D BiCS FLASH™ de KIOXIA et un contrôleur intégré dans un boîtier JEDEC standard. La mémoire flash 3D BiCS FLASH™ de 8e génération de KIOXIA intègre la technologie CMOS à association directe (CBA), une innovation architecturale qui marque une rupture dans la conception des mémoires flash.
Principales caractéristiques :
● Conformité à la spécification UFS 4.1. UFS 4.1 est rétrocompatible avec UFS 4.0 et UFS 3.1.
● Mémoire flash 3D BiCS FLASH™ de 8e génération de KIOXIA.
● Prise en charge de WriteBooster pour des vitesses d’écriture nettement supérieures.
● Format plus compact que les dispositifs UFS QLC précédents : de 11 × 13 mm à → 9 × 13 mm.
Selon Axel Störmann, directeur technique et vice-président de KIOXIA Europe : « Chez KIOXIA, l’innovation en matière de mémoire flash est essentielle pour répondre aux exigences croissantes en matière de capacité et de performance. Avec la QLC UFS 4.1, les dernières avancées en matière d’architecture et de conception se traduisent par des fonctionnalités concrètes qui aident nos clients à gérer des cas d’usage mobiles et connectés de plus en plus complexes et diversifiés. »
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- Catégorie : Passifs
KIOXIA lance des dispositifs UFS 4.1 QLC haute capacité et hautes performances pour les appareils mobiles et l'IoT
dispositifs de mémoire embarquée1 dotés de la technologie QLC (quad-cell quad-cell) à 4 bits par cellule. Conçus pour les applications à forte intensité de lecture et les besoins de stockage haute capacité, ces nouveaux dispositifs intègrent la technologie de mémoire flash 3D BiCS FLASH™ de 8e génération de KIOXIA.
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