ANDREA BRICCONI | DIRECTEUR COMMERCIAL, CGD
« Cet accord représente une étape importante pour CGD dans le cadre de notre expansion et de la construction d'un écosystème GaN qui permettra aux ingénieurs d'explorer et d'exploiter les avantages de l'ICeGaN pour la conversion de puissance haute tension. DigiKey est une marque très respectée et digne de confiance, et nous sommes convaincus que cet accord permettra à CGD de pénétrer et d'accompagner de nouveaux marchés à travers le monde. »
MISSY HALL | VICE-PRÉSIDENTE, DÉVELOPPEMENT DES NOUVEAUX MARCHÉS, DIGIKEY
« Nous sommes ravis d'intégrer Cambridge GaN Devices (CGD) à notre programme "Fulfilled by DigiKey". En incluant les transistors de la série ICeGaN de CGD dans notre catalogue, DigiKey offre à ses clients un choix encore plus vaste d'options écoénergétiques. DigiKey s'efforce constamment de répondre aux besoins de sa clientèle, et l'ajout de CGD à notre réseau de fournisseurs représente une nouvelle étape vers l'innovation. »
CGD a récemment lancé sa famille de transistors HEMT au nitrure de gallium (GaN) série H2 de 650 V. Ces nouveaux composants simplifient la conception grâce à leur compatibilité avec les drivers de grille disponibles sur le marché. En termes d'efficacité, les HEMT ICeGaN offrent un QG 10 fois inférieur à celui des composants en silicium et un QOSS 5 fois inférieur. Cette réduction significative des pertes de commutation permet d'atteindre des niveaux d'efficacité parmi les plus élevés du marché, se traduisant par une réduction de la taille, du poids et du coût des systèmes. La série H2 de HEMT ICeGaN répond également aux exigences de fiabilité et de robustesse grâce à l'interface de grille intelligente de CGD, qui élimine quasiment les faiblesses typiques du GaN en mode électronique. Ces dispositifs présentent une résistance accrue aux surtensions, un seuil d'immunité au bruit plus élevé, une suppression du dV/dt et une protection contre les décharges électrostatiques (ESD).
