Il s'agit du plus important investissement réalisé à ce jour par l'entreprise pour accroître ses capacités de production de carbure de silicium et de GaN. Une fois achevée en 2024, l'usine augmentera considérablement les capacités de production de carbure de silicium et de fabrication de plaquettes de l'entreprise, permettant ainsi de proposer des solutions semi-conducteurs à large bande passante qui accompagnent les profondes mutations technologiques en cours sur les marchés de l'automobile, des communications et de l'industrie.
« Nous constatons un intérêt soutenu de la part des secteurs de l'automobile et des infrastructures de communication pour exploiter les avantages du carbure de silicium et stimuler l'innovation. Cependant, la demande en carbure de silicium dépasse depuis longtemps l'offre disponible. Aujourd'hui, nous annonçons le plus important investissement jamais réalisé dans la production afin d'accroître considérablement cette offre et d'aider nos clients à commercialiser des produits et services novateurs », a déclaré Gregg Lowe, PDG de Cree. « Cet investissement dans les équipements, les infrastructures et les ressources humaines nous permettra de multiplier par 30 notre capacité de production de plaquettes de carbure de silicium et notre production de matériaux par rapport au premier trimestre 2017, date à laquelle nous avons entamé la première phase d'expansion de nos capacités. Nous sommes convaincus que cela nous permettra de répondre à la croissance anticipée de la demande en dispositifs et matériaux en carbure de silicium Wolfspeed au cours des cinq prochaines années et au-delà. ».
