En particulier dans les véhicules électriques (VE), l'onduleur, qui joue un rôle fondamental dans le système de propulsion, doit être plus efficace pour augmenter l'autonomie et réduire la taille de la batterie embarquée, ce qui accroît les attentes envers les dispositifs de puissance en SiC.
ROHM, premier fournisseur mondial à avoir lancé la production en série de MOSFET SiC en 2010, continue de développer des technologies de pointe pour les composants de puissance SiC. Parmi celles-ci figurent ses MOSFET SiC de 4e génération, qui offrent une meilleure tenue aux courts-circuits et la plus faible résistance à l'état passant du marché. Ces performances permettent d'accroître l'autonomie des véhicules électriques tout en réduisant la consommation d'énergie de 6 % par rapport aux IGBT (calculs basés sur le test d'efficacité énergétique WLTC, norme internationale) lorsqu'ils sont installés dans l'onduleur principal.
Dans le même temps, Hitachi Astemo, qui développe depuis plusieurs années des technologies de pointe pour les moteurs et les onduleurs automobiles, bénéficie déjà d'une solide expérience sur le marché en pleine expansion des véhicules électriques. Cependant, c'est la première fois que des composants en carbure de silicium (SiC) sont utilisés pour le circuit principal de l'onduleur afin d'en améliorer encore les performances. La livraison des onduleurs aux constructeurs automobiles devrait débuter en 2025, d'abord au Japon, puis dans le monde entier.
À l'avenir, en tant que fournisseur leader de dispositifs de puissance SiC, ROHM continuera à renforcer sa gamme et à fournir des solutions d'alimentation contribuant à l'innovation technique dans les véhicules en combinant des technologies de dispositifs périphériques, telles que des circuits de commande intégrés, conçues pour maximiser les performances.
