Les diodes de limitation de courant CMS CL15M45/CL20M/CL40M45 permettent un fonctionnement en parallèle pour une intensité nominale (IP) accrue, offrant ainsi une solution robuste et performante pour des applications telles que les drivers de LED basse consommation et les chargeurs de batterie. Avec une dissipation de puissance de 1 W, une tension inverse de 0,5 V et une température de jonction de fonctionnement de -50 °C à +150 °C, ces diodes de limitation de courant offrent des performances de qualité professionnelle dans un boîtier SMB.
Les transistors FET MMBT7002K à enrichissement de canal offrent des performances exceptionnelles pour le traitement du signal, la conversion de niveaux logiques et les applications de pilotage. Ces transistors FET assurent des temps de commutation rapides grâce à une grille protégée contre les décharges électrostatiques et une plage de température de jonction de fonctionnement de -55 à +150 °C. Les transistors MMBT7002K présentent une dissipation de puissance de 350 mW, une tension grille-source de 20 V et une tension drain-source de 60 V. Les diodes petits signaux BAV99x de Diotec Semiconductor offrent des vitesses de commutation élevées avec une faible capacité de jonction et un faible courant de fuite.
Les diodes BAV99x sont fabriquées avec des matériaux de boîtier conformes à la norme UL 94V-0, et les dispositifs dont la référence comporte le suffixe -AQ sont qualifiés AEC-Q101. Ces diodes conviennent à de nombreuses applications, notamment le traitement du signal, le redressement et la commutation à haute vitesse. Les redresseurs à récupération ultrarapide EGL1x présentent une plage de tension inverse (VR) impressionnante de 50 à 400 V et une tension inverse répétitive de crête (VRRM) de 50 à 400 V. Ces diodes hautes performances offrent une dissipation de puissance élevée et permettent un redressement à haute fréquence.
