Aux termes de cet accord, Mouser proposera à ses clients les circuits intégrés de puissance GaNFast™ et GaNSense™ de Navitas, ainsi que les transistors MOSFET de puissance et les diodes SiC GeneSiC™. Ces semi-conducteurs à haut rendement permettent d'atteindre des performances à haute fréquence pour des applications telles que les véhicules électriques, les dispositifs de recharge rapide, l'électronique grand public, les énergies renouvelables et les solutions industrielles.
« Mouser est ravi d'accueillir ce leader du secteur parmi ses partenaires et de proposer ces dispositifs de puissance innovants à ses clients », a déclaré Kristin Schuetter, vice-présidente de la gestion des fournisseurs chez Mouser. « Les ingénieurs concepteurs ont désormais un accès simplifié aux composants de pointe de Navitas, avec le soutien du service client exceptionnel et de la logistique de classe mondiale de Mouser. Nous sommes convaincus que ce partenariat sera une réussite. ».
« L’intégration des produits GaNFast à la gamme GeneSiC existante renforce considérablement la notoriété, l’intérêt et, en fin de compte, le chiffre d’affaires de Navitas grâce à la plateforme de distribution performante et reconnue de Mouser », a déclaré David Carroll, vice-président senior des ventes internationales chez Navitas Semiconductor. « La nouvelle génération de produits, leur simplicité d’utilisation, leur disponibilité immédiate et l’excellent support technique permettent aux concepteurs de circuits de puissance de livrer rapidement des prototypes de haute qualité en SiC et GaN, dans les délais impartis et prêts pour la production en série. ».
Les circuits intégrés de puissance GaNFast permettent des fréquences de commutation six fois supérieures à celles des solutions GaN discrètes, ce qui se traduit par des économies d'énergie accrues et une réduction de la taille et du poids. Simples d'utilisation, les circuits intégrés de puissance GaNFast sont compatibles avec une large gamme de topologies et de contrôleurs courants. Ils intègrent de manière monolithique la puissance, la commande et le contrôle GaN pour créer un composant numérique d'entrée/sortie de puissance essentiel, convivial, rapide et performant. Les circuits intégrés de puissance GaNFast permettent une charge jusqu'à trois fois plus rapide, pour une taille et un poids deux fois inférieurs à ceux des systèmes électroniques de puissance traditionnels à base de silicium, ou une puissance de sortie trois fois supérieure sans augmentation de taille ni de poids.
Les circuits intégrés de puissance GaNFast, dotés de la technologie GaNSense, intègrent des circuits de détection et de protection autonomes et en temps réel, renforçant ainsi la fiabilité et la robustesse déjà reconnues de Navitas. Ces solutions révolutionnaires en boîtier unique réduisent le nombre de composants et l'encombrement par rapport aux systèmes discrets existants, diminuant ainsi le coût, la taille, le poids et la complexité du système. Avec une plage de tension d'alimentation de 5,5 à 24 V, les circuits intégrés de puissance GaNFast sont parfaitement adaptés à une large gamme d'applications professionnelles et grand public.
La famille de circuits intégrés de puissance GaNFast offre de multiples avantages en termes d'efficacité et de fiabilité, le tout dans des boîtiers PQFN standard, compacts et à faible inductance, faciles à utiliser. Ces composants accélèrent le prototypage et la génération de revenus, et sont conçus pour permettre la prochaine génération de topologies à commutation logicielle, tout en exploitant au maximum les capacités de commutation haute vitesse (plus de 1 MHz) du GaN. Ces composants à haut rendement sont parfaitement adaptés aux applications mobiles et de centres de données, ainsi qu'aux variateurs de vitesse pour moteurs industriels.
