« Nous sommes ravis d'intégrer Transphorm à notre portefeuille de solutions pour lignes électriques », déclare Kristin Schuetter, vice-présidente en charge de la gestion des fournisseurs chez Mouser. « Les plateformes d'évaluation innovantes et les transistors GaN haute performance de Transphorm sont un atout majeur pour les concepteurs et les fabricants qui développent des applications de conversion de puissance haute tension dans divers secteurs d'activité. ».
« Nous sommes ravis de rejoindre le réseau mondial de fournisseurs de Mouser en tant que fabricant de dispositifs GaN de haute qualité et de haute fiabilité », a déclaré Philip Zuk, vice-président du marketing technique et des ventes pour l'Amérique du Nord chez Transphorm. « Cet accord nous offre une formidable opportunité de proposer notre technologie GaN de pointe à la vaste clientèle de Mouser. Nous sommes impatients de collaborer avec leurs équipes et d'accompagner leurs clients dans le développement des systèmes d'alimentation de nouvelle génération. ».
Les transistors GaN FET 900 V en boîtier TO-220 et 650 V en boîtiers TO-247 et TO-220 de Transphorm, disponibles chez Mouser Electronics, combinent les technologies HEMT GaN haute tension et MOSFET basse tension. Ces composants présentent de faibles pertes de courant de croisement, une charge de grille réduite et une charge de récupération inverse plus faible, offrant une fiabilité sur le terrain comparable à celle des transistors à effet de champ en carbure de silicium (SiC) et des performances supérieures à celles des MOSFET en silicium. Comparés aux dispositifs GaN concurrents, les transistors FET de Transphorm offrent également la tension de seuil la plus élevée du marché (4 V) et une robustesse de grille de ±20 V.
Les transistors GaN FET de qualité automobile de Transphorm comprennent le TPH3205WSBQA, première solution GaN du secteur à obtenir la certification AEC-Q101, et le TP65H035WSQA, premier composant certifié AEC-Q101 et conçu pour résister à des températures de 175 °C. À l'instar des applications non automobiles, les systèmes d'alimentation embarqués utilisant des transistors GaN FET 650 V peuvent bénéficier d'une densité énergétique jusqu'à 40 % supérieure, tout en réduisant les coûts globaux du système jusqu'à 20 % par rapport aux solutions similaires à base de silicium.
Les transistors GaN FET de Transphorm sont associés à des circuits de commande de grille standard, ce qui améliore l'efficacité des circuits à commutation dure et douce tout en simplifiant leur contrôle et leur conception. Utilisés dans un système de correction du facteur de puissance (PFC) AC-DC de type totem sans pont, les avantages de la plateforme GaN (tels qu'une densité de puissance accrue et des coûts système réduits) sont optimisés. Ces transistors FET conviennent à une large gamme d'applications industrielles, de communication de données et automobiles, ainsi qu'aux adaptateurs secteur et aux systèmes pour ordinateurs grand public.
Mouser propose également des plateformes d'évaluation Transphorm permettant aux concepteurs d'étudier les caractéristiques de commutation et le rendement. Ces kits prennent en charge diverses topologies de systèmes d'alimentation, notamment les onduleurs, les convertisseurs demi-pont abaisseur ou élévateur (solutions CMS et traversantes) et les correcteurs de facteur de puissance (PFC) sans pont de type totem. Ils couvrent également une large gamme de puissances pour répondre aux besoins de diverses applications. Citons par exemple les plateformes d'évaluation demi-pont de 1,2 kW et 2,5 kW, ainsi que les plateformes d'évaluation PFC sans pont de type totem de 2,5 kW et 4 kW.
