Le GaN est une technologie de semi-conducteurs de nouvelle génération qui gagne en popularité grâce à sa capacité à offrir des performances supérieures aux semi-conducteurs en silicium conventionnels, tout en réduisant la consommation d'énergie et l'encombrement nécessaires. Il fonctionne jusqu'à 20 fois plus vite que le silicium et permet également une gestion de l'énergie ou une capacité de charge trois fois plus rapide, en plus de ses avantages de taille, ce qui peut potentiellement réduire de 20 % les coûts système pour les concepteurs, ingénieurs et architectes de systèmes d'alimentation.
Les circuits intégrés de puissance GaNFast™ de Navitas, dotés de la technologie GaNSense™, intègrent les fonctions d'alimentation, de commande et de contrôle, ainsi qu'une protection autonome et une détection de courant sans perte, pour offrir une efficacité énergétique optimale, un encombrement minimal et des performances de conversion de puissance maximales. La dernière famille de circuits intégrés demi-pont GaNSense de l'entreprise offre une solution monocomposante entièrement intégrée qui permet aux alimentations AC-DC d'atteindre des fréquences de commutation de l'ordre du MHz pour une large gamme d'applications à commutation douce.
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- Catégorie : Actualités
Navitas Semiconductor et Avnet Silica annoncent un accord de collaboration visant à développer le marché des circuits intégrés de puissance GaN avancés
Avnet Silica et Navitas Semiconductor ont annoncé une étroite collaboration entre les deux entreprises afin de développer le marché européen des circuits intégrés de puissance GaNFast™ haute performance et écoénergétiques de Navitas, dotés de la technologie GaNSense.
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