L'électrification des automobiles, les besoins croissants en puissance des équipements de télécommunications 5G et l'essor de l'Industrie 4.0 exigent des rendements de conversion énergétique élevés, pour lesquels le GaN devrait devenir la technologie dominante. Ces tendances sous-tendent la demande croissante de semi-conducteurs de puissance en 2021 et au-delà. L'UAES a déjà commencé à utiliser les transistors FET GaN de Nexperia dans ses projets de R&D et de collaboration, notamment pour les chargeurs embarqués et les convertisseurs CC-CC haute tension destinés aux véhicules électriques. La technologie GaN de Nexperia affiche des performances exceptionnelles (RDS(on) x QGD) et une charge de récupération inverse (Qrr) permettant des fréquences de commutation élevées et une conversion de puissance efficace. Nexperia produit du GaN grâce à des techniques de production de masse éprouvées et fiables, principalement dans ses propres usines à travers le monde, afin de fabriquer des produits conformes à la norme automobile AEC-Q101.

L'UAES fournit aux constructeurs automobiles des solutions avancées et complètes pour les systèmes de commande de carrosserie et les groupes motopropulseurs. Elle se spécialise dans le développement, la production et la vente de systèmes de gestion de moteurs à essence, de systèmes de commande de transmission, de systèmes électroniques embarqués et de systèmes de commande de propulsion hybrides et électriques. Ses cinq centres technologiques en Chine disposent de laboratoires de pointe pour le développement de véhicules complets, de moteurs, de transmissions automatiques et de systèmes de propulsion électrique. Des équipements avancés permettent de fournir efficacement des services d'ingénierie de haute qualité, notamment le développement de systèmes et de composants, ainsi que l'étalonnage, à divers constructeurs automobiles chinois.

Paul Zhang, vice-président senior des ventes et du marketing et directeur général de Nexperia en Chine, a déclaré : « La densité de puissance et l'efficacité des transistors à effet de champ GaN à base de silicium joueront un rôle crucial dans l'électrification des automobiles. Nous reconnaissons l'offre étendue d'UAES, sa position de leader sur le marché et sa clientèle dans l'industrie automobile et sommes convaincus que notre collaboration renforcée sur le GaN permettra aux deux entreprises de proposer à nos clients des solutions de systèmes d'alimentation pour véhicules électriques plus performantes et plus efficaces. Plus tôt ce mois-ci, nous avons annoncé une augmentation de nos investissements mondiaux en production et en R&D afin de soutenir pleinement le développement de nouveaux produits. Nous avons l'intention d'accroître nos investissements et de créer conjointement un laboratoire dédié au développement d'applications de la technologie GaN pour l'automobile. »

Un porte-parole de la direction d'UAES a déclaré : « Nous sommes ravis de collaborer avec Nexperia au développement de solutions innovantes pour les systèmes d'alimentation des véhicules électriques, basées sur la technologie GaN. Nexperia est un fournisseur majeur de semi-conducteurs pour l'industrie automobile. Ce partenariat nous permettra de réduire le nombre de composants utilisés, de diminuer les coûts, d'accroître la densité de puissance et d'améliorer la fiabilité et l'efficacité de l'ensemble du système. »

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