Cette acquisition soutient la stratégie de développement de la technologie propriétaire PowiGaN™ de l'entreprise, présente dans de nombreuses gammes de produits, notamment les circuits intégrés InnoSwitch™, les circuits intégrés de correction du facteur de puissance HiperPFS™-5 et la gamme InnoMux™-2, récemment lancée, de circuits intégrés mono-étage à sorties multiples. L'entreprise a commercialisé des versions 900 et 1250 volts de la technologie et des produits PowiGaN en 2023.
Le Dr Radu Barsan, vice-président Technologie chez Power Integrations, a déclaré : « Power Integrations est à la pointe du développement et de la commercialisation du GaN depuis le début de la commercialisation de nos produits intégrant la technologie PowiGaN en 2018. Nous mettons en œuvre une stratégie ambitieuse visant à atteindre la parité des coûts avec les MOSFET en silicium et à étendre les capacités de tension et de puissance du PowiGaN. » Notre objectif est de commercialiser une technologie GaN économique, à courant élevé et haute tension, afin de prendre en charge les applications de forte puissance actuellement assurées par le carbure de silicium (SiC), à un coût bien inférieur et avec des performances supérieures grâce aux avantages fondamentaux du GaN par rapport au SiC. L'expertise de l'équipe Odyssey en matière de GaN vertical à courant élevé renforcera et accélérera ces efforts, et nous sommes ravis de les accueillir au sein de notre équipe. »
Le Dr Richard Brown, cofondateur et PDG d'Odyssey, a ajouté : « L'équipe d'Odyssey et moi-même sommes ravis de rejoindre Power Integrations pour accélérer le développement de sa feuille de route technologique GaN. Première entreprise à avoir commercialisé du GaN haute tension, Power Integrations continue de mener l'industrie en faisant progresser cette technologie en termes de coût, de tension et de courant, ainsi qu'en concevant des produits système qui exploitent pleinement les capacités du GaN. »