La transaction valorise Transphorm à environ 339 millions de dollars. Cette acquisition permettra à Renesas d'acquérir la technologie GaN propriétaire, un matériau clé de nouvelle génération pour les semi-conducteurs de puissance, et d'étendre sa présence sur des marchés en forte croissance tels que les véhicules électriques, l'informatique (centres de données, IA, infrastructures), les énergies renouvelables, la conversion d'énergie industrielle et les chargeurs/adaptateurs rapides.
La demande de systèmes d'alimentation à haut rendement augmente, car elle constitue un élément fondamental de la neutralité carbone. Pour répondre à cette tendance, une transition à l'échelle de l'industrie vers les matériaux à large bande passante (WBG), dont le carbure de silicium (SiC) est un exemple, est également en cours. Ces matériaux avancés permettent une gamme de tensions et de fréquences de commutation plus étendue que les dispositifs conventionnels à base de silicium. Afin de tirer parti de cette dynamique, Renesas a annoncé la mise en place de sa propre ligne de production de SiC, soutenue par un accord d'approvisionnement en plaquettes de SiC d'une durée de 10 ans.
Renesas ambitionne désormais d'enrichir son portefeuille WBG grâce à l'expertise de Transphorm en matière de GaN, un matériau émergent qui permet des fréquences de commutation plus élevées, des pertes de puissance plus faibles et des formats plus compacts. Ces avantages permettent d'améliorer les systèmes clients grâce à une efficacité accrue, une conception plus compacte et plus légère, et un coût global réduit. Par conséquent, la demande de GaN devrait croître de plus de 50 % par an, selon une étude sectorielle. Renesas mettra en œuvre la technologie GaN auto-qualifiée de Transphorm afin de développer de nouvelles solutions d'alimentation améliorées, telles que des groupes motopropulseurs X-en-1 pour véhicules électriques, ainsi que des applications informatiques, énergétiques, industrielles et grand public.
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