Face à l'essor de la neutralité carbone, la demande mondiale de semi-conducteurs de puissance à haut rendement, qui fournissent et gèrent l'électricité, devrait croître considérablement dans les années à venir. Renesas anticipe une forte croissance de la demande de véhicules électriques et prévoit donc d'accroître sa capacité de production de semi-conducteurs de puissance, tels que les IGBT, afin de contribuer à la décarbonation. Une fois la production de masse lancée sur l'usine de Kofu, la capacité totale de production de semi-conducteurs de puissance de Renesas doublera.

L'usine de Kofu, filiale à 100 % de Renesas Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., exploitait auparavant des lignes de fabrication de plaquettes de 150 mm et 200 mm. Afin d'augmenter sa capacité de production, Renesas a décidé d'exploiter un bâtiment industriel existant et de le reconvertir en une unité de fabrication de plaquettes de 300 mm dédiée aux semi-conducteurs de puissance.

Conformément à la stratégie du ministère japonais de l'Économie, du Commerce et de l'Industrie pour les semi-conducteurs, Renesas prévoit de réaliser cet investissement d'ici la fin de l'année 2022, en étroite collaboration avec le ministère.