Après avoir lancé la production en série de ses transistors HEMT GaN 150 V (avec une tension de claquage de grille de 8 V) en 2022, ROHM a développé en mars 2023 une technologie de circuit intégré de contrôle permettant d'optimiser les performances du GaN. Aujourd'hui, ROHM propose des transistors HEMT GaN 650 V de pointe, contribuant à une efficacité accrue et à un encombrement réduit pour une large gamme de systèmes d'alimentation.
Les GNP1070TC-Z et GNP1150TCA-Z offrent des performances de pointe en termes de RDS(ON) × Ciss / RDS(ON) × Coss, un facteur de mérite essentiel pour les transistors HEMT GaN, ce qui se traduit par une efficacité accrue des systèmes d'alimentation. Parallèlement, un élément de protection ESD intégré améliore la résistance au claquage électrostatique jusqu'à 3,5 kV, renforçant ainsi la fiabilité des applications. Les caractéristiques de commutation à haute vitesse des transistors HEMT GaN contribuent également à la miniaturisation des composants périphériques.
ROHM continue d'améliorer les performances de ses dispositifs grâce à sa gamme EcoGaN™ de composants GaN, contribuant ainsi à des économies d'énergie accrues et à une miniaturisation plus poussée. Parallèlement au développement de ses produits, ROHM encourage également la collaboration via des partenariats stratégiques afin de contribuer à relever les défis sociétaux en rendant les applications plus efficaces et compactes.
EcoGaN™
est la nouvelle gamme de dispositifs GaN de ROHM, qui contribuent aux économies d'énergie et à la miniaturisation en maximisant les caractéristiques du GaN dans le but de réduire la consommation d'énergie dans les applications, de réduire la taille des composants périphériques et de simplifier les conceptions en nécessitant moins de pièces.
Gamme de produits
Exemples d'application :
Idéal pour une large gamme de systèmes d'alimentation électrique dans les équipements industriels et les appareils grand public, y compris les serveurs et les adaptateurs secteur.
Ancora Semiconductors Inc.
est une filiale de Delta Electronics, fournisseur mondial de solutions de gestion thermique et énergétique. Fondée en juillet 2022, Ancora se concentre sur le développement de dispositifs et de technologies GaN.
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Terminologie des transistors HEMT à base de GaN
:
Le GaN (nitrure de gallium) est un matériau semi-conducteur composé utilisé dans les dispositifs de puissance de nouvelle génération. Son utilisation se développe grâce à ses propriétés supérieures à celles du silicium, notamment ses excellentes caractéristiques à haute fréquence.
HEMT signifie « transistor à haute mobilité électronique ».
Le rapport RDS(ON) × Ciss / RDS(ON) × Coss
est un indice permettant d'évaluer les performances de commutation. Ciss représente la capacité totale côté entrée et Coss la capacité côté sortie.
Plus cette valeur est faible, plus la vitesse de commutation est rapide et plus les pertes de commutation sont faibles.
Une décharge électrostatique (DES)
est une surtension qui se produit lorsque des objets chargés électriquement, comme le corps humain et des équipements électroniques, entrent en contact. Ce type de surtension peut entraîner un dysfonctionnement ou la destruction des circuits et des équipements.
