Geoff West, vice-président exécutif et directeur des achats de STMicroelectronics, a déclaré : « Cet accord élargi avec SiCrystal permettra de fournir des volumes supplémentaires de plaquettes de substrat SiC de 150 mm afin de soutenir l’augmentation de notre capacité de production pour nos dispositifs destinés aux clients industriels et automobiles du monde entier. Il contribue à renforcer la résilience de notre chaîne d’approvisionnement pour la croissance future, grâce à un équilibre entre approvisionnement propriétaire et commercial dans toutes les régions. »
« SiCrystal, filiale du groupe ROHM et leader dans le domaine du SiC, fabrique des plaquettes de substrat SiC depuis de nombreuses années. Nous sommes ravis de prolonger cet accord d'approvisionnement avec notre client historique, ST. Nous continuerons d'accompagner notre partenaire dans le développement de son activité SiC en augmentant constamment les quantités de plaquettes de substrat SiC de 150 mm et en garantissant une qualité irréprochable», a déclaré le Dr Robert Eckstein, président-directeur général de SiCrystal, filiale du groupe ROHM.
Les semi-conducteurs de puissance en carbure de silicium (SiC) à haut rendement énergétique permettent une électrification plus durable des secteurs automobile et industriel. En facilitant une production, une distribution et un stockage d'énergie plus efficaces, le SiC soutient la transition vers des solutions de mobilité plus propres, des procédés industriels à faibles émissions et un avenir énergétique plus vert, ainsi que vers des sources d'énergie plus fiables pour les infrastructures gourmandes en ressources telles que les centres de données dédiés aux applications d'intelligence artificielle.
