Avec une puissance de crête atteignant 150 mW, les nouvelles LED infrarouges Everlight sont disponibles avec des angles de faisceau de 20° à 160°. Elles supportent une large plage de tensions d'entrée (jusqu'à 4 V). Ces émetteurs sont proposés en boîtiers CMS (formats 1206 ou 3216) ainsi qu'en versions traversantes, avec des diamètres de capsule de 1,5 mm à 5 mm. Des lentilles claires, transparentes et bleues sont disponibles.
Les photodiodes PIN Everlight présentent une photosensibilité élevée, avec un bruit de courant d'obscurité de seulement 5 nA ou 10 nA. Elles supportent une tension inverse maximale de 32 V. Grâce à leur temps de réponse rapide (jusqu'à 6 ns), ces composants peuvent être associés à des LED infrarouges (avec lesquelles ils sont spectralement compatibles) pour créer des systèmes de photodétection destinés à des applications haute fréquence. Des versions CMS et traversantes sont disponibles. Des lentilles planes et convexes, ainsi que des filtres optiques, sont proposés.
Avec une longueur d'onde maximale de 940 nm, les phototransistors Everlight actuellement proposés par TME sont conçus pour une tension collecteur-émetteur maximale de 30 V. Différentes options de boîtier sont disponibles, notamment traversant et en surface.
À propos de ces nouveaux produits, Adam Kuczyński, cofondateur et directeur du développement commercial de TME, déclare : « Les contraintes techniques et financières auxquelles sont confrontés les ingénieurs les obligent à utiliser des dispositifs optoélectroniques performants, économiques et fiables sur le long terme. Les LED infrarouges Everlight, les photodiodes PIN et les phototransistors que nous proposons désormais répondent à toutes ces exigences. »
