S'appuyant sur ses plateformes de circuits intégrés, de circuits intégrés et de procédés de fabrication indépendantes, MORNSUN, distribuée par Mecter, lance la troisième génération de convertisseurs DC/DC des séries QA-R3/QA_C-R3, spécialement conçus pour les pilotes de MOSFET IGBT/SiC. La série QA_H-R3/QA_HC-R3 présente une distance de fuite adaptée aux applications d'alimentation des systèmes 1 700 V, ce qui en fait un convertisseur DC/DC optimal et fiable pour les solutions d'entraînement.
Avantages
Tension d'isolation : 5 000 VCA, isolation renforcée
Basée sur la conception de circuits intégrés indépendante de MORNSUN, la tension d'isolation de la série R3 atteint 5 000 VCA, supérieure à celle des produits conventionnels sur le marché (3 750 VCA), et répond aux exigences d'isolation renforcée, ce qui améliore considérablement la fiabilité globale.
La plupart des transistors IGBT/SiC MOSFET disponibles sur le marché, en tant que composants semi-conducteurs de base, sont utilisés dans des applications moyennes et basses tensions, avec des tensions de fonctionnement de 650 V, 900 V, 1 200 V et 1 700 V.
Conformément à la norme IEC 61800-5-1, la série R3 présente une tension de barrière continue (décharge continue) jusqu'à 1 700 V, ce qui la rend compatible avec les transistors IGBT/SiC MOSFET fonctionnant sous des tensions inférieures à 1 700 V. La distance de fuite des transistors QA_H-R3 et QA_HC-R3 est supérieure à 14,14 mm.
Comparée à la série R1, la série R3 offre les performances optimisées suivantes :
1. Rendement accru : 80 % → 87 % ;
2. Ondulation réduite : 75 mVpp → 50 mVpp ;
3. Capacité admissible accrue : 220 µF → 2 200 µF ;
4. Protection contre les décharges électrostatiques améliorée : ±6 kV → ±8 kV ;
5. Capacité d’isolation réduite : 6,6 pF → 3,5 pF.
Applications :
La série QA-R3/QA_C-R3 trouve de nombreuses applications dans les solutions de commande de transistors IGBT/MOSFET SiC pour les onduleurs photovoltaïques, les contrôleurs de moteurs et la recharge de véhicules électriques.
À titre d’exemple, dans le système PV-SVG, elle alimente la puce de commande, permettant ainsi un fonctionnement optimal des transistors IGBT/MOSFET SiC.
Caractéristiques
• Tension d'isolation : 5 000 V CA (isolation renforcée).
• Tension de barrière continue : 1 700 V.
• Rendement jusqu'à 87 %.
• Boîtier SIP compact.
• Charge capacitive maximale : 2 200 µF.
• Capacité d'isolation ultra-faible : 3,5 pF (typique).
• Plage de température de fonctionnement : -40 °C à +105 °C.
