Idéales pour une utilisation en cuisine, ces nouvelles résistances sont conditionnées en boîtier TO-3 (N), équivalent au TO247, et supportent une température de jonction maximale de 175 °C. Le courant nominal maximal est de 50 A pour les deux modèles. La tension de saturation typique (à un courant de 50 A) est de 1,5 V pour la GT50JR21 et de 1,65 V pour la GT50JR22.
Les IGBT GT50JR21 et GT50JR22 de Toshiba sont basés sur la technologie de semi-conducteurs améliorée de l'entreprise et optimisés pour la commutation à très haute vitesse. Leurs temps de conduction (t<sub>on</sub>) et de blocage (t<sub>off</sub>) typiques, avec un courant de collecteur de 50 A, sont respectivement de 0,26 ms et 0,31 ms pour le GT50JR21, et de 0,25 ms et 0,37 ms pour le GT50JR22. Par conséquent, le GT50JR21 est adapté à la commutation basse fréquence, tandis que le GT50JR22 est adapté à la commutation haute fréquence.
La dissipation thermique du collecteur pour chaque IGBT est de 230 W à 25 °C.
