Les transistors GaN FET 650 V à enrichissement de Nexperia offrent des valeurs de RDS(on) de 80 à 190 mΩ dans une gamme de boîtiers DFN 5x6 mm et 8x8 mm, améliorant ainsi l'efficacité de conversion de puissance dans les applications de télécommunications/transmission de données haute et basse tension (< 650 V), la recharge grand public, le solaire et l'industrie. Ils peuvent également être utilisés pour concevoir des moteurs CC sans balais et des variateurs de précision pour microserveurs nécessitant un couple et une puissance élevés. Nexperia propose également un transistor GaN FET 100 V (3,2 mΩ) en boîtier WLCSP8 et un modèle 150 V (7 mΩ) en boîtier FCLGA. Ces dispositifs conviennent à une grande variété d'applications basse tension (<150 V) et haute puissance pour fournir, par exemple, des convertisseurs CC-CC plus efficaces dans les centres de données, une charge plus rapide (mobilité électrique et USB Type-C™), des émetteurs-récepteurs LiDAR plus petits, des amplificateurs audio de classe D à faible bruit et des appareils grand public à densité de puissance plus élevée tels que les téléphones portables, les ordinateurs portables et les consoles de jeux vidéo.

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