En réduisant considérablement l'espacement des cellules par rapport à la génération précédente, Magnachip a obtenu une augmentation substantielle de la capacité de courant. De plus, la zone de fonctionnement sûre en polarisation inverse (RBSOA) améliorée garantit un fonctionnement stable et fiable même dans des conditions exigeantes de haute tension et de courant élevé. Les produits sont disponibles en boîtiers TO-247 standard et TO-247 Plus haute capacité, offrant une grande flexibilité de conception pour une large gamme d'applications.
Selon le cabinet d'études de marché Omdia, le marché mondial des onduleurs solaires et des systèmes de stockage d'énergie (ESS) devrait passer d'environ 1,4 milliard de dollars en 2024 à 2,7 milliards de dollars en 2029, soit un taux de croissance annuel composé (TCAC) de 10,6 %. Avec l'accélération des initiatives mondiales de neutralité carbone, l'efficacité énergétique et la densité de puissance élevée sont devenues des critères essentiels dans la conception des onduleurs.
Magnachip fournit déjà des IGBT aux principaux fabricants d'onduleurs solaires nationaux et internationaux et est reconnue pour la haute qualité de ses produits et sa technologie de pointe. Avec ce nouveau lancement, l'entreprise élargit son offre pour couvrir une large gamme de puissances, des onduleurs résidentiels aux systèmes industriels jusqu'à 150 kW, permettant ainsi à ses clients de choisir les produits les mieux adaptés à leur environnement d'exploitation.
La nouvelle génération d'IGBT intègre la technologie Advanced Field Stop Trench, avec une conception améliorée et des procédés de fabrication optimisés par rapport à la génération précédente. Concrètement, le pas des cellules a été réduit d'environ 40 %, ce qui augmente significativement la capacité de courant sur une même surface de puce. De plus, la bande interdite de court-circuit (RBSOA), qui définit les limites de fonctionnement sûres du semi-conducteur, a été améliorée de plus de 30 %, garantissant une grande stabilité sous haute tension et fort courant. Ces caractéristiques rendent ces dispositifs adaptés à une gamme plus étendue d'applications de puissance.
Magnachip prévoit d'élargir sa gamme de produits au premier semestre 2026 avec le lancement d'une série haute intensité jusqu'à 650 V et 150 A, ainsi que de nouveaux produits 750 V. L'entreprise prévoit également d'intégrer le boîtier TO-247-4Lead, doté d'une broche Kelvin pour une meilleure efficacité de commutation, renforçant ainsi son offre d'IGBT. Magnachip pourra ainsi proposer un plus large éventail d'options de conception pour les marchés du solaire et du stockage d'énergie, qui évoluent vers des capacités et une efficacité accrues.
« Cette nouvelle génération d'IGBT améliore l'efficacité et la fiabilité grâce à des technologies de fabrication optimisées », a déclaré Hyuk Woo, directeur technique de Magnachip. « Forts de notre technologie éprouvée et de nos capacités de production, nous continuerons d'enrichir notre gamme de solutions afin de mieux répondre aux besoins variés de nos clients. ».
