Toshiba lancera également la série TBD62083A avec pilote FET DMOS à sortie puits[4], comme successeur de la série TD62083 de matrices de transistors bipolaires pour des applications telles que les moteurs, les relais et les entraînements de LED.
La demande des clients pour des systèmes tels que les alimentations et les commandes marche/arrêt combinant des produits à sortie source et à sortie puits est en hausse. Avec le lancement de ces nouveaux dispositifs, Toshiba propose un réseau de transistors DMOS FET pour les deux types de sortie.
Ces nouveaux dispositifs fonctionnent sans courant de base, réduisant ainsi les courants d'appel. Grâce à leur capacité à supporter des densités de courant élevées tout en conservant une faible résistance, les transistors DMOS FET améliorent le rendement et garantissent des pertes de puissance réduites.
Tous les appareils supportent une commande haute tension et courant élevé avec une valeur de sortie absolue maximale de 50 V / 0,5 A.
Ces dispositifs sont disponibles dans une gamme de boîtiers, notamment SOP18, DIP18 et SOL18 pour les applications de montage en surface et SSOP18 (pas de 0,65 mm) pour permettre l'utilisation de conceptions à espace limité.
Pour atteindre les hauts niveaux d'intégration observés dans ces dispositifs, Toshiba a mis en œuvre la toute dernière technologie BICD [5]. L'entreprise la présente comme la tendance future pour les circuits intégrés analogiques fabriqués sur sa ligne de production standard de 8 pouces, format de plaquette largement utilisé dans l'industrie pour la production de masse.
Notes :
[1] Enquête Toshiba, en date du 29 septembre 2015.
[2] DMOS FET : MOSFET à double diffusion.
[3] Sortie source : Courant de sortie de type push.
[4] Sortie récepteur : Courant de sortie de type pull.
[5] BiCD : Technologie de fabrication permettant l’intégration de dispositifs bipolaires, CMOS et DMOS.
