La nouvelle série TBD62xxxA succède à la série TD62xxxA de matrices de transistors bipolaires, largement utilisée dans des applications telles que les moteurs, les relais et les drivers de LED. La nouvelle série TBD62xxxA est fonctionnellement et broche à broche compatible avec la série TD62xxxA.
L'adoption d'un driver de sortie DMOS FET pour ces nouveaux produits garantit un rendement élevé et des pertes de puissance réduites, les transistors DMOS FET ne nécessitant pas de courant de base. La résistance à l'état passant reste faible et le blocage de sortie supporte des tensions et des courants élevés, avec une valeur maximale absolue de 50 V/0,5 A.
Cette conception permet à la série TBD62xxxA de réduire les pertes de puissance de 40 % par rapport à la précédente série TD62xxxA (Ta = 25 °C et IOUT = 200 mA).
Toshiba a utilisé la technologie BICD pour la création de cette nouvelle série, car elle permet l'intégration de composants bipolaires, CMOS et DMOS. La nouvelle génération de circuits intégrés comprend 24 produits compatibles avec différentes tensions d'entrée standard (VIN(ON)).
La série TBD62003A nécessite une tension d'entrée minimale de 14 V (VIN(ON)) pour prendre en charge les signaux d'entrée PMOS de 14 V à 25 V. La série TBD62503A offre une tension d'entrée minimale de 2,5 V (VIN(ON)) et prend en charge les signaux d'entrée TTL (logique transistor-transistor) et CMOS 3 V/5 V. La série TBD62004A offre une tension d'entrée minimale de 7,0 V (VIN(ON)) pour les signaux d'entrée PMOS de 6 V à 15 V et CMOS 5 V.
Ces composants seront disponibles dans des boîtiers adaptés à différents besoins, notamment DIP, SOP/SOL pour le montage en surface et SSOP compact (pas de 0,65 mm) pour un encombrement réduit. La production en série de la gamme complète devrait débuter au second semestre 2015.
