Les nouveaux modules intègrent des MOSFET mSiC® en carbure de silicium (SiC) de 3,3 kV et des diodes Schottky dans un boîtier standard de 62 mm pour une alimentation efficace et directe du réseau moyenne tension vers le rack serveur.
Les centres de données dédiés à l'IA continuent de se développer rapidement, mais la génération de jetons est limitée par la disponibilité de l'alimentation électrique ; or, l'efficacité est un facteur déterminant du retour sur investissement. Les architectures traditionnelles, basées sur des transformateurs encombrants à basse fréquence, complexifient le système, augmentent les pertes et limitent sa flexibilité.Les transformateurs statiques représentent une avancée majeure dans le domaine de l'alimentation électrique, car ils réduisent le nombre d'étages de conversion et améliorent l'efficacité du système. L'adoption d'une alimentation CC haute tension, montée en rack, dans les centres d'IA de nouvelle génération renforce encore l'intérêt des transformateurs statiques (SST), conçus pour fournir du courant continu régulé directement à partir du réseau moyenne tension avec un nombre réduit d'étages de conversion.
Les modules HV-D3 mSiC de Microchip sont spécialement conçus pour répondre à ces exigences. Ils utilisent la technologie MOSFET mSiC de Microchip, qui offre une excellente stabilité de la résistance à l'état passant (RDS(on)) en fonction de la température. Le boîtier assure une isolation de 6 kV, intègre des matériaux conformes à la norme CTI 600 et étend les distances de fuite, permettant ainsi une connexion série haute tension sécurisée. Le substrat en nitrure de silicium (Si₃N₄) améliore la conductivité thermique et la tenue aux cycles de puissance, permettant aux ingénieurs d'accroître la densité de puissance avec un refroidissement moins intensif.
« Les centres de données dédiés à l'IA augmentent sans cesse les besoins en alimentation électrique entre le réseau électrique et les GPU, ce qui rend les transformateurs statiques de plus en plus indispensables », explique Clayton Pillion, vice-président de la division Solutions Haute Puissance de Microchip. « Nos modules d'alimentation mSiC HV-D3 de 3,3 kV permettent aux concepteurs de réduire de moitié le nombre de composants connectés en série par rapport aux autres dispositifs SiC basse tension, lorsqu'ils sont connectés à des réseaux de 13,8 kV ou 34,5 kV. Ces dispositifs comblent également un manque crucial sur le marché industriel des produits de 100 à 300 A en intégrant des composants SiC discrets et des modules d'alimentation beaucoup plus volumineux. ».
Les modules de puissance HV-D3 mSiC sont disponibles en configurations demi-pont et source commune, avec ou sans diodes Schottky antiparallèles, pour des applications de 100 à 300 A. La technologie MOSFET mSiC de Microchip offre des pertes de commutation équilibrées pour les topologies à commutation dure et douce, ce qui rend ces composants parfaitement adaptés aux circuits SST et autres systèmes haute fréquence et haute tension.
Optimisés pour les transformateurs statiques des centres de données dédiés à l'IA, les modules de puissance HV-D3 mSiC répondent également à un large éventail d'applications, notamment les infrastructures de recharge de plusieurs mégawatts pour véhicules lourds, les alimentations auxiliaires pour le transport ferroviaire et lourd, les variateurs de vitesse pour moteurs moyenne tension, ainsi que les systèmes d'alimentation industriels et de défense. Ces marchés bénéficient de la même combinaison d'isolation élevée, de robustesse thermique et de conversion de puissance efficace.
Outils de développement :
Les modules de puissance 3,3 kV sont accompagnés d’une note d’application, d’un guide de conceptionet de modèles de dispositifs et de simulation pour un prototypage rapide. Microchip propose également un support technique mondial, des services de conception et une assistance technique sur site.
