Cette famille de composants permet la création de convertisseurs de puissance offrant un rendement de conversion et une densité de puissance élevés, parmi les meilleurs du marché. De plus, la série inclut une diode Schottky parallèle optionnelle afin de réduire davantage les pertes de commutation dans les environnements à haute température.
Deux des six composants de la famille présentent une RDS(on) de seulement 1 mΩ et une densité de puissance de 240 W/in³ dans un boîtier de 62 x 152 mm.
Le QSiC Dual3 a été développé pour permettre le remplacement des modules IGBT avec une refonte minimale. Toutes les puces MOSFET ont subi des tests de rodage de l'oxyde de grille au niveau de la plaquette, dépassant 1 450 V. Les modules présentent également une faible résistance thermique jonction-boîtier, simplifiant ainsi la conception du système et permettant l'utilisation de dissipateurs thermiques plus petits et plus légers.
« Les besoins croissants en énergie et en gestion thermique, induits par l'IA dans les centres de données, poussent les systèmes de refroidissement et d'alimentation traditionnels à leurs limites », a déclaré le Dr Timothy Han, président de SemiQ. « Grâce à sa conception flexible et à sa densité de puissance inégalée, la série QSiC Dual3 prend en charge les applications de refroidissement liquide de 250 kW, aussi bien pour les variateurs actifs en amont que pour les compresseurs, réduisant ainsi la taille et le poids par rapport aux solutions IGBT en silicium traditionnelles, tout en offrant une efficacité maximale du SiC. »
