Grâce à leur boîtier L-TOGL et aux caractéristiques de dissipation thermique améliorées qui en résultent, les nouveaux MOSFET de Toshiba sont optimisés pour la gestion de courants élevés. Ils présentent tous deux des courants de drain élevés (400 A pour le XPQR3004PB et 200 A pour le XPQ1R004PB), ainsi que des résistances à l'état passant parmi les plus faibles du marché (0,3 mΩ pour le XPQR3004PB et 1 mΩ pour le XPQ1R004PB).

Ces composants sont dépourvus de structure multipolaire interne (connexion soudée). Cette conception est rendue possible par la connexion de la source et des broches externes à l'aide d'une pince en cuivre innovante. L'utilisation d'une structure multipolaire pour les broches de source réduit la résistance du boîtier (et les pertes associées) d'environ 70 % par rapport au boîtier TO-220SM(W) existant. Le courant de drain nominal (ID) du XPQR3004PB représente une augmentation de 60 % par rapport au TKR74F04PB actuel, logé dans un boîtier TO-220SM(W). De plus, le châssis robuste en cuivre réduit considérablement l'impédance thermique entre la jonction et le boîtier. Elle est de 0,2 °C/W pour le XPQR3004PB et de 0,65 °C/W pour le XPQ1R004PB. Ceci favorise la dissipation thermique, réduit les températures de fonctionnement et améliore la fiabilité.

Conçus pour les applications automobiles exigeantes à des températures allant jusqu'à 175 °C, les modèles XPQR3004PB et XPQ1R004PB sont certifiés AEC-Q101. Leurs broches en aile de mouette réduisent les contraintes d'assemblage et facilitent l'inspection visuelle, contribuant ainsi à une meilleure fiabilité des joints de soudure.

Utilisés dans des applications automobiles à courant élevé, telles que les relais semi-conducteurs ou les alterno-démarreurs intégrés (ISG), les XPQR3004PB et XPQ1R004PB simplifient la conception et réduisent le nombre de MOSFET nécessaires. Il en résulte une réduction de la taille, du poids et du coût.

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