En améliorant le FoM de la résistance de drain de grille x QGD (RDS(on) x QGD) de plus de 80 %, la dernière technologie SiC de Toshiba augmente les performances de pilotage et de commutation dans les topologies de conversion de puissance.
De plus, ces nouveaux dispositifs intègrent une diode Schottky (SBD), dont l'efficacité a été démontrée dans la génération précédente. Cette diode SBD intégrée améliore la fiabilité des MOSFET SiC en compensant les effets parasites internes et en assurant ainsi une résistance à l'état passant (RDS(on)) stable.
De plus, ces produits présentent une large plage de tension grille-source, de -10 V à 25 V, ce qui accroît leur flexibilité d'utilisation dans diverses configurations de circuits et conditions d'application. La plage de tension de seuil de grille (VGS(th)) de 3,0 V à 5,0 V garantit des performances de commutation prévisibles avec une dérive minimale et permet une conception simplifiée du circuit de commande de grille.
La troisième génération de MOSFET SiC est désormais disponible : TW015N120C, TW030N120C, TW045N120C, TW060N120C et TW140N120C. Ces composants présentent des valeurs de RDS(on) comprises entre 15 mΩ et 140 mΩ (valeur typique, à VGS = 18 V) et des valeurs de courant de drain comprises entre 20 A et 100 A (courant continu à TC = 25 °C).
Tous les appareils sont en pleine production et prêts à être commandés auprès des distributeurs, dans le boîtier d'alimentation standard TO-247.
